[发明专利]一种具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统在审
申请号: | 201910654770.0 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN110223904A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 李雪冬;刘小波;胡冬冬;刘海洋;孙宏博;车东晨;许开东 | 申请(专利权)人: | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张惠忠 |
地址: | 221300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 进气喷嘴 法拉第屏蔽 等离子体处理系统 反应腔室 清洗工艺 介质窗 导电材质 导电连接 反应气体 电容耦合等离子体 全方位清洗 工艺气体 投影区域 整个区域 周围区域 故障率 电离 内壁 清洗 穿过 | ||
1.一种具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统,所述等离子体处理系统包括反应腔室、位于反应腔室上的法拉第屏蔽装置和进气喷嘴;所述进气喷嘴穿过法拉第屏蔽装置向反应腔室通入工艺气体;其特征在于:所述进气喷嘴是导电材质,且进气喷嘴与法拉第屏蔽装置导电连接。
2.根据权利要求1所述的具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统,其特征在于:所述进气喷嘴的进气侧连接有进气管道;所述进气喷嘴与进气管道绝缘连接。
3.根据权利要求2所述的具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统,其特征在于:所述法拉第屏蔽装置上设置有供进气喷嘴穿过的通孔;所述通孔的内圈与进气喷嘴导电连接;用于为所述法拉第屏蔽装置供电的导线通过进气喷嘴供电连接法拉第屏蔽装置。
4.根据权利要求3所述的具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统,其特征在于:所述通孔位于法拉第屏蔽装置的中心处。
5.根据权利要求3所述的具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统,其特征在于:所述法拉第屏蔽装置包括多个中心对称且间隔布置的瓣状组件;每个瓣状组件靠近对称中心的一端均与进气喷嘴相连。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统,其特征在于:还包括位于反应腔室一端的介质窗;所述介质窗的内壁位于反应腔室与法拉第屏蔽装置之间;所述进气喷嘴喷出的工艺气体穿过法拉第屏蔽装置及介质窗通入反应腔室。
7.根据权利要求6所述的具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统,其特征在于:所述进气喷嘴的出气端口置于介质窗内壁外侧。
8.根据权利要求7所述的具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统,其特征在于:所述进气喷嘴的出气端口处连通安装有绝缘材质的延伸进气管;所述延伸进气管上设置有若干第一进气孔;所述延伸进气管穿过介质窗,并且通过所述若干第一进气孔连通反应腔室;所述介质窗的内壁位于进气喷嘴的出气端口与反应腔室之间。
9.根据权利要求7所述的具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统,其特征在于:所述进气喷嘴的出气端口嵌入在介质窗内,且出气端口位于介质窗的内壁和外壁之间;所述介质窗上设置有连通出气端口与反应腔室的若干第二进气孔。
10.根据权利要求1所述的具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统,其特征在于:所述进气喷嘴内壁设置有耐腐蚀层。
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