[发明专利]流体处理结构、光刻设备和器件制造方法

权利要求书

1.一种用于浸没光刻设备的流体处理结构，所述流体处理结构被配置成将浸没流体容纳到一区域，所述流体处理结构在空间的边界处具有：

至少一个开口，配置成将浸没流体供给至所述空间；

提取器组件，配置成从所述空间提取所述浸没流体；

至少一个气刀开口，所述至少一个气刀开口在从所述空间沿径向向外的方向上；和

至少一个气体供应开口，所述至少一个气体供应开口在相对于所述空间从所述至少一个气刀开口沿径向向外的方向上；

至少一个气体回收开口，所述至少一个气体回收开口在所述至少一个气刀开口和至少一个气体供应开口的径向向外的位置上，

其中所述至少一个气刀开口和/或至少一个气体供应开口依赖于所述流体处理结构的以下特定的特性来动态地进行控制，所述特性包括流体处理结构的移动方向、速率、速度和/或位置。

2.根据权利要求1所述的流体处理结构，其中

所述至少一个气刀开口包括多个分离的孔口，所述多个分离的孔口中的每一孔口被独立地控制成改变气体离开所述至少一个气刀开口中的对应的孔口的气流速率和/或气体速度。

3.根据权利要求1所述的流体处理结构，其中

所述至少一个气体供应开口包括多个分离的孔口，所述多个分离的孔口中的每一孔口被独立地控制成改变气体离开所述至少一个气体供应开口中的对应的孔口的气流速率和/或气体速度。

4.根据权利要求3所述的流体处理结构，其中

依赖于所述流体处理结构的移动方向、速率、速度和/或位置动态地控制所述孔口中的至少一个。

5.根据权利要求4所述的流体处理结构，其中

在使用中，所述流体处理结构的前进侧上的至少一个气刀开口的孔口被控制成使得气体以分别低于气体离开所述流体处理结构的后退侧上的所述至少一个气刀开口的孔口的流动速率和/或气体速度的气体的流动速率和/或气体速度离开。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的流体处理结构，其中

所述流体处理结构包括用于抵抗所述浸没流体在从所述空间沿径向向外的方向上通过的弯液面控制特征，所述弯液面控制特征在所述至少一个气刀开口的径向内侧。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的流体处理结构，其中

所述至少一个气刀开口被配置成通过第一路径供应气体，所述至少一个气体供应开口被配置成通过第二路径供应气体。

8.根据权利要求7所述的流体处理结构，其中

所述第一路径和第二路径连接至同一气体源。

9.根据权利要求7所述的流体处理结构，其中

所述第二路径包括限流器区段。

10.根据权利要求7所述的流体处理结构，其中

所述第一路径连接至第一气体源，所述第二路径连接至第二气体源。

11.根据权利要求7所述的流体处理结构，其中

所述第一路径通过第三路径与所述第二路径相连。

12.根据权利要求11所述的流体处理结构，其中

所述第三路径包括限流器区段。

13.根据权利要求1-5中任一项所述的流体处理结构，其中

所述至少一个气刀开口和所述至少一个气体供应开口在面向衬底和/或衬底台的所述流体处理结构的表面上，其中所述至少一个气刀开口比所述至少一个气体供应开口更接近所述衬底和/或衬底台。

14.根据权利要求1-5中任一项所述的流体处理结构，其中

所述至少一个气刀开口和所述至少一个气体供应开口在面向衬底和/或衬底台的所述流体处理结构的表面上，所述至少一个气刀开口在所述流体处理结构的所述表面上具有比所述至少一个气体供应开口更小的表面积。