[发明专利]气体生成方法及蚀刻装置

说明书

本发明提供能够容易并且以低成本形成长宽比高的图案的气体生成方法及蚀刻装置。基于本实施方式的气体生成方法是具备生成蚀刻气体的第1腔室和使用蚀刻气体进行蚀刻处理的第2腔室的蚀刻装置中的气体生成方法。向第1腔室中供给包含碳(C)及氟(F)的第1气体，使第1腔室内的压力比蚀刻处理时的第2腔室内的压力高。在第1腔室内，对第1气体施加高频电力由该第1气体生成包含碳(C)及氟(F)的第2气体。将第2气体作为蚀刻气体向第2腔室供给。

技术领域

本实施方式涉及气体生成方法及蚀刻装置。

背景技术

超大规模集成电路(ULSI)通过推进基于比例法则的微细化、高集成化来提高其性能。ULSI的制造工艺中有光刻、成膜、化学机械研磨、蚀刻等工序，特别是在蚀刻工艺中要求非常高精度的加工形状控制，利用等离子体的RIE(Reactive Ion Etching，反应离子蚀刻)担负着重要的作用。为了实现近年来的高集成化，除了微细化(晶圆的平面方向的缩小)以外三维化(厚度方向的增大)也在发展，其结果是，要求相对于蚀刻形状的纵横比率即长宽比的增大的应对。在蚀刻装置中，为了得到对于蚀刻处理而言最佳的蚀刻气体，需要将各种种类的蚀刻气体以所期望的比率混合并导入。在1980年代作为蚀刻气体使用了CF₄/CHF₃混合气体等，但到了1990年代则开发c(cyclo)-C₄F₈或C₄F₆及c-C₅F₈这样的分子量大、C/F比大的气体并使用的倾向增强。但是，在这些有效的蚀刻气体中，也有高价的气体，或者，也有获得困难的气体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第0502817号

非专利文献

非专利文献1：K.Fujita et al，Journal of Vacuum Science and TechnologyB，17(1999)957.

发明内容

发明所要解决的课题

提供能够容易并且以低成本形成长宽比高的图案的气体的生成方法及蚀刻装置。

用于解决课题的手段

基于本实施方式的气体生成方法是具备生成蚀刻气体的第1腔室和使用蚀刻气体进行蚀刻处理的第2腔室的蚀刻装置中的气体生成方法。向第1腔室中供给包含碳(C)及氟(F)的第1气体，使第1腔室内的压力比蚀刻处理时的第2腔室内的压力高。在第1腔室内，对第1气体施加高频电力而由该第1气体生成包含碳(C)及氟(F)的第2气体。将第2气体作为蚀刻气体供给至第2腔室。

附图说明

图1是表示基于第1实施方式的蚀刻装置的构成例的概略截面图。

图2是表示基于第1实施方式的气体生成方法的一个例子的流程图。

图3是表示源气体CmFn的气体成分及蚀刻气体CxFy的气体成分各自的组成比的图表。

图4是表示高频电力密度与源气体的利用效率的关系的图表。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明所涉及的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本发明。附图是示意性或概念性的图，各部分的比率等未必限于与现实的比率相同。在说明书和附图中，对于与关于已出的附图中已述的要素同样的要素标注同一符号并适当省略详细的说明。

(第1实施方式)

图1是表示基于第1实施方式的蚀刻装置1的构成例的概略截面图。蚀刻装置1具备气体生成腔室10、蚀刻腔室20和纯化装置30。