[发明专利]一种二次包覆的硅碳复合材料、其制备方法以及使用该材料的电极和电化学装置有效
申请号: | 201910650478.1 | 申请日: | 2019-07-18 |
公开(公告)号: | CN112242503B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 邱新平;张文广;郑曦;李慧玉 | 申请(专利权)人: | 北京清创硅谷科技有限公司;清华大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 夏东栋;钱程 |
地址: | 100192 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二次 复合材料 制备 方法 以及 使用 材料 电极 电化学 装置 | ||
1.一种二次包覆的碳硅复合材料,其特征在于,
该碳硅复合材料包括石墨颗粒,以及包覆在石墨颗粒上的碳硅层,
其中,所述碳硅层是空心硅与碳形成的混合物层,在碳硅层中包含了一次包覆物颗粒,所述一次包覆物颗粒是指碳包覆在空心硅上而形成的颗粒,
所述碳硅复合材料的比表面积是2~2.5m2/g,
所述石墨颗粒的粒径在1-30μm之间;
所述一次包覆物颗粒的空心硅的空腔的粒径在10-50nm之间,该空心硅的粒径在30-100nm之间,且石墨外层包覆的硅碳层厚度在0.1-2μm之间,
所述碳硅复合材料中,碳与硅的重量比为97:3~80:20。
2.一种二次包覆的碳硅复合材料的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
1)将空心硅和碳前体以1:1至3:1的重量比置于搅拌机中混匀,然后加热至80-120℃以5000-15000r/min转速搅拌20-60分钟后得到外层混合物;
2)将步骤1)中得到的外层混合物和石墨以1:9至2:8的重量比置于搅拌机中混匀,然后加热至80-120℃以5000-15000r/min转速搅拌1-2小时,再以50-100r/min低转速搅拌2-6小时得到包覆的石墨颗粒;
3)将步骤2)中得到的包覆的石墨颗粒在惰性气氛下在950-1050℃下加热3-12小时,然后降温以得到所述二次包覆的碳硅复合材料。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其中
在步骤1)中,所述加热温度是100-120℃,以及所述转速是8000-10000r/min。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其中
所述碳前体选自蔗糖、葡萄糖、柠檬酸、沥青、聚氯乙烯或聚丙烯腈。
5.一种使用如权利要求1所述的二次包覆的碳硅复合材料制备的负极。
6.一种使用如权利要求1所述的二次包覆的碳硅复合材料制备的电化学装置。
7.根据权利要求6所述的电化学装置,其中,所述电化学装置是锂离子电池或者超级电容器。
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