[发明专利]一种用于半导体温控模块的功率驱动装置

权利要求书

1.一种用于半导体温控模块的功率驱动装置，其特征在于包括电流大小控制模块、电流方向转换模块和监控保护模块；所述电流大小控制模块与所述电流方向转换模块连接；所述监控保护模块分别与所述电流大小控制模块、所述电流方向转换模块连接，用于对关键位置的电流、电压以及温度进行实时监测；

所述电流大小控制模块接收来自数字信号处理器的脉冲宽度调制信号，输出持续可控的直流电流；

所述电流方向转换模块，用于接收所述数字信号处理器输出的高低电平信号，以控制所述半导体温控模块的电流方向，实现对所述半导体温控模块的制冷、制热驱动控制。

2.如权利要求1所述的用于半导体温控模块的功率驱动装置，其特征在于：

所述电流大小控制模块包括半桥接闸极驱动器、降压转换器和电流取样电路，所述半桥接闸极驱动器的输入端与所述数字信号处理器的脉冲宽度调制信号输出端连接，所述半桥接闸极驱动器的输出端与所述降压转换器的输入端连接，所述降压转换器的输出端与所述电流取样电路的输入端连接，所述电流取样电路分别与所述电流方向转换模块和所述监控保护模块连接。

3.如权利要求2所述的用于半导体温控模块的功率驱动装置，其特征在于：

所述降压转换器包括半桥电路和低通滤波电路，所述半桥电路和所述低通滤波电路的输入端分别与所述半桥接闸极驱动器的相应端口连接，所述半桥电路的输出端还与所述低通滤波电路的输入端的连接，所述低通滤波电路的输出端与所述电流取样电路连接。

4.如权利要求3所述的用于半导体温控模块的功率驱动装置，其特征在于：

所述半桥电路包括第一功率MOS管和第二功率MOS管，所述第一功率MOS管的栅极与所述半桥接闸极驱动器的高侧栅极驱动输出端口连接，所述第二功率MOS管的栅极与所述半桥接闸极驱动器的低侧栅极驱动输出端口连接，所述第一功率MOS管的源极和所述第二功率MOS管的漏极连接在一起后分别与所述半桥接闸极驱动器的高侧MOS管源极连接端口和所述低通滤波电路的输入端连接，所述第一功率MOS管的漏极与高端驱动电压连接，所述第二功率MOS管的源极接地。

5.如权利要求1所述的用于半导体温控模块的功率驱动装置，其特征在于：

所述电流方向转换模块包括电流方向控制逻辑电路、H桥电路，所述电流方向控制逻辑电路的输入端与所述数字信号处理器的高低电平输出端口连接，所述电流方向控制逻辑电路的输出端与所述H桥电路的输入端连接，所述H桥电路的输出端与所述半导体温控模块连接。

6.如权利要求5所述的用于半导体温控模块的功率驱动装置，其特征在于：

所述H桥电路包括第三功率MOS管、第四功率MOS管、第五功率MOS管和第六功率MOS管，所述第三功率MOS管、所述第四功率MOS管、所述第五功率MOS管和所述第六功率MOS管的栅极分别与所述电流方向控制逻辑电路和所述监控保护模块连接，所述第三功率MOS管的漏极分别与所述第五功率MOS管的漏极连接在一起后，再分别与电流取样电路和所述监控保护模块连接，所述第三功率MOS管与所述第五功率MOS管的源极分别和所述半导体温控模块连接，所述第三功率MOS管的源极还与所述第四功率MOS管的漏极连接，所述第五功率MOS管的源极还与所述第六功率MOS管漏极连接，所述第四功率MOS管和所述第六功率MOS管的源极分别接地。