[发明专利]一种显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201910647282.7 | 申请日: | 2019-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN110323264B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
| 发明(设计)人: | 宋小贤;李贵芳;黄智 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 张海英 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板和显示装置。显示面板包括基板以及层叠设置于基板一侧的发光单元和盖帽层,盖帽层位于发光单元远离基板一侧的表面;基板包括平面区和弯折区,盖帽层在平面区的光学厚度大于盖帽层在弯折区的光学厚度,弯折区的微腔效应比平面区的微腔效应弱,因此可以降低弯折区因微腔效应导致的红绿蓝三基色的亮度衰减以及红绿蓝三基色的亮度衰减差距,从而可以改善弯折区的色偏现象,补偿了在一视角下,平面区和弯折区的观测视角存在差异造成的平面区和弯折区的色偏程度不同,降低了平面区和弯折区色偏程度的差值,提高了显示面板的显示效果。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
在显示面板中,显示面板的平面区和弯折区在视场下存在观测角度不同步的问题,导致了平面区和弯折区的显示画面色偏程度不同,使得弯折区存在色偏。
发明内容
本发明提供一种显示面板和显示装置,以改善平面区和弯折区的色偏差。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括基板以及层叠设置于所述基板一侧的发光单元和盖帽层,所述盖帽层位于所述发光单元远离所述基板一侧的表面;
所述基板包括平面区和弯折区,所述盖帽层在所述平面区的光学厚度大于所述盖帽层在所述弯折区的光学厚度,其中,所述光学厚度为膜层的物理厚度与折射率之积。
该技术方案通过设置盖帽层在平面区的光学厚度大于盖帽层在弯折区的光学厚度时,弯折区的微腔效应比平面区的微腔效应弱,因此可以降低弯折区因微腔效应导致的红绿蓝三基色的亮度衰减以及红绿蓝三基色的亮度衰减差距,从而可以改善弯折区的色偏现象,补偿了在一视角下,平面区和弯折区的观测视角存在差异造成的平面区和弯折区的色偏程度不同,降低了平面区和弯折区色偏程度的差值,提高了显示面板的显示效果。
可选地,所述盖帽层在所述平面区的物理厚度大于所述盖帽层在所述弯折区的物理厚度。可以实现盖帽层在平面区的光学厚度大于盖帽层在弯折区的光学厚度。
可选地,所述盖帽层在所述平面区的物理厚度与所述盖帽层在所述弯折区的物理厚度的差值范围为2nm~10nm。可以使弯折区的出光颜色更接近平面区的出光颜色,降低了平面区和弯折区色偏程度的差值,提高了显示面板的显示效果。
可选地,所述盖帽层在所述平面区的平均折射率大于所述盖帽层在所述弯折区的平均折射率。同样可以实现盖帽层在平面区的光学厚度大于盖帽层在弯折区的光学厚度。
可选地,所述盖帽层包括第一盖帽层和第二盖帽层,所述第二盖帽层位于所述第一盖帽层远离所述发光单元的一侧;
所述第一盖帽层的折射率小于所述第二盖帽层的折射率,所述第二盖帽层在所述平面区的物理厚度大于所述第二盖帽层在所述弯折区的物理厚度。可以实现盖帽层在平面区的光学厚度大于盖帽层在弯折区的光学厚度。
可选地,所述发光单元包括依次层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极;所述发光功能层在所述平面区的折射率小于所述发光功能层在所述弯折区的折射率。可以实现弯折区对应的微腔腔长大于平面区对应的微腔腔长,使得弯折区出射光的波长向着长波长侧偏移,即弯折区出射光的波长等于或者接近平面区出射光的本征峰,进而使得弯折区的出光颜色接近平面区的出光颜色,从而改善弯折区的色偏现象,提高了显示面板的显示效果。
可选地,所述发光功能层包括空穴传输层和电子传输层;所述空穴传输层在所述平面区的折射率小于所述空穴传输层在所述弯折区的折射率,和/或所述电子传输层在所述平面区的折射率小于所述电子传输层在所述弯折区的折射率。可以实现弯折区对应的微腔腔长大于平面区对应的微腔腔长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





