[发明专利]场发射中和器

权利要求书

1.一种场发射中和器，包括一底板以及至少一个阴极发射单元，该至少一个阴极发射单元固定在所述底板的表面，所述阴极发射单元包括：

一基板；

一壳体，所述壳体位于所述基板上，所述壳体具有一开口；

一阴极发射体，所述阴极发射体固定在所述壳体内部；

一栅网，所述栅网包括多个栅孔并与阴极发射体绝缘设置；以及

一屏蔽层，所述屏蔽层具有一屏蔽层通孔并与所述栅网绝缘设置，

其特征在于：所述阴极发射体包括一阴极基底以及一石墨化的碳纳米管阵列，该石墨化的碳纳米管阵列与该阴极基底电接触，所述阴极基底包括一基底主体以及一粘结剂层，该石墨化的碳纳米管阵列通过该粘结剂层固定在所述基底主体上，且石墨化的碳纳米管阵列中的碳纳米管基本垂直于所述基底主体，且所述石墨化的碳纳米管阵列中50-80%的碳纳米管被石墨化，所述石墨化的碳纳米管阵列的表面包括一积碳层，该积碳层均匀的包覆在所述石墨化的碳纳米管阵列中碳纳米管的表面，所述壳体的材料为一导电材料，所述场发射中和器进一步包括一第一绝缘板，设置于所述壳体的上表面，该栅网设置于该第一绝缘板远离所述壳体的表面，该第一绝缘板包括一第一通孔，且所述壳体的开口、第一通孔、栅网的栅孔以及屏蔽层通孔贯穿设置。

2.如权利要求1所述的场发射中和器，其特征在于，所述阴极发射体包括多个石墨化的碳纳米管阵列，该多个石墨化的碳纳米管阵列并排或者间隔固定在所述阴极基底的表面。

3.如权利要求1所述的场发射中和器，其特征在于，所述石墨化的碳纳米管阵列中的碳纳米管不含杂质，且微观结构中没有位错和缺陷，微晶结构趋向于三维有序的石墨结构。

4.如权利要求1所述的场发射中和器，其特征在于，所述栅网与所述屏蔽层通过一第二绝缘板绝缘，该第二绝缘板设置在所述栅网与所述屏蔽层之间，该第二绝缘板包括一第二通孔，该第二通孔与所述栅网上的栅孔连通设置。

5.如权利要求1所述的场发射中和器，其特征在于，所述栅网为钼网。

6.如权利要求1所述的场发射中和器，其特征在于，在所述基板和所述壳体之间进一步包括一导电层，该导电层与所述阴极基底的基底主体电接触，将一电极线连接到该导电层上，通过该电极线向 阴极基底输送电压。

7.如权利要求1所述的场发射中和器，其特征在于，在所述石墨化的碳纳米管阵列中碳纳米管的延伸方向上，所述石墨化的碳纳米管阵列包括一第一端以及与第一端相对的第二端，所述石墨化的碳纳米管阵列的第一端插入至所述粘结剂层中。