[发明专利]一种低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法

权利要求书

1.一种低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、将按重量百分含量1.5-3％的锆、0.5-2％的钛，余量为铜，配置的材料混合，然后在氩气的保护下进行多次的反复熔炼，最后一次熔炼时将熔化的材料进行速凝铸片，得到合金铸片；

步骤2、将按重量百分含量10-15％的镨、13-18％的钕、0.8-1.5％的硼，余量为铁，配置的材料混合，然后在氩气的保护下进行熔炼，熔炼时将熔化的材料进行速凝铸片，得到主相合金铸片；

步骤3、将合金铸片和主相铸片分别进行氢破，得到合金粉末和主相粉末；

步骤4、在主相粉末中添加主相粉末总重量2-5％的合金粉末并充分混匀，再经气流磨破碎为2.5-3.8μm的钕铁硼粉末；

步骤5、将钕铁硼粉末在2.1T的取向磁场中压制成型，得到压坯，将压坯在1110-1120℃烧结7-9h，加热速率为8-10℃/min，然后再经过一级回火和二级回火，得到钕铁硼磁体。

2.根据权利要求1所述的低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤1中锆的含量为2％，钛的含量为0.8％。

3.根据权利要求1所述的低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤2中镨的含量为14％，钕的含量为18％，硼的含量为0.9％。

4.根据权利要求1所述的低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤1中熔炼的次数为3-6次。

5.根据权利要求1所述的低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤3的氢破结束后，还包括抽真空脱氢处理，脱氢处理温度680℃，脱氢时间为4.5h。

6.根据权利要求1所述的低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述步骤5中一级回火的时间为4h，温度为950℃；二级回火的时间为4h，温度为600℃，其中，冷却时充入氩气进行冷却。