[发明专利]发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201910638935.5 | 申请日: | 2019-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN110867504B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
| 发明(设计)人: | 金高恩;申荣训 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;谭天 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光显示装置,包括:
下基板;
在所述下基板上的薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上的第一钝化层,所述第一钝化层具有氢;
在所述第一钝化层上的发光二极管,所述发光二极管具有阳极、所述阳极上的发光层,和所述发光层上的阴极;以及
在所述发光二极管上的氢吸收层,所述氢吸收层包括质量百分比为0.08%至50%的无机材料;以及
其中所述无机材料分散在所述氢吸收层中。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,
其中所述无机材料包括金属、包含所述金属的混合物、和包含所述金属的化合物中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置,
其中所述金属包括以下中的一种或更多种:碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属和后过渡金属。
4.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中所述金属包括钛(Ti)族金属。
5.根据权利要求2所述的发光显示装置,
其中所述金属包括以下中的一种或更多种:钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(A1)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)和铁(Fe)。
6.根据权利要求2所述的发光显示装置,
其中所述混合物包括镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)和钛-锰(Ti-Mn)中的一种或更多种。
7.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中所述金属是直径小于100nm的颗粒。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述氢吸收层与所述阴极接触并且还包括粘结剂材料。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置,还包括:
与所述下基板相对的上基板,
其中所述上基板和所述下基板通过所述氢吸收层附接。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述氢吸收层还包括吸气剂和氢化合物中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括:
与所述下基板相对的上基板;以及
粘结剂层,其配置成将所述上基板和所述下基板附接。
12.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括:
在所述薄膜晶体管上的外涂层;以及
在所述外涂层上方的堤部,
其中所述无机材料还包含在所述外涂层和所述堤部中。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置,其中所述堤部与所述第一钝化层的上部接触并且形成为包围所述阳极的侧表面和所述外涂层的侧表面。
14.根据权利要求1所述的发光显示装置,
其中所述薄膜晶体管包括半导体层,以及
所述半导体层由氧化物半导体或非晶半导体形成。
15.根据权利要求1所述的发光显示装置,
其中所述阳极包括透明导电层,或包括反射层和所述反射层上的透明导电层。
16.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括:
在所述发光二极管和所述氢吸收层之间的第二钝化层,
其中所述第二钝化层也包含氢。
17.根据权利要求16所述的发光显示装置,其中所述氢吸收层接触所述第二钝化层的上表面和侧表面。
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