[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制造方法有效
| 申请号: | 201910638409.9 | 申请日: | 2019-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN110491905B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 余文静 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制造 方法 | ||
本发明提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法。显示面板包括至少一透光区、围绕所述透光区设置的显示区,以及围绕所述显示区设置的边框区;所述显示区包括沿第一方向延伸的多条扫描线、沿第二方向延伸的多条数据线;所述第二方向与所述第一方向不同;所述透光区包括沿第二方向延伸的多条数据线。本发明显示装置包括上述显示面板。本发明显示面板的制造方法包括步骤:形成栅极层和在所述栅极层上形成源漏极层。本发明通过改变与摄像头等传感器相对的透光区的电路结构,实现提高透光率的效果。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法。
背景技术
主动矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/Organic Light EmittingDiode,AMOLED)全面屏越来越受到消费者的推崇,但全面屏和前置摄像头存在相矛盾的地方。为了满足消费者的需求,机械式升降摄像头以及滑盖式摄像头应运而生,两者的本质均是把摄像头隐藏在手机内部,但其不仅增加了机身厚度,而且升降开合处容易落灰,最主要是增加了制造成本。为了避开这些缺陷,屏下摄像头技术(将摄像头隐藏到屏幕下方)成为研究热点。
如图1所示,为现有的一种显示面板200,所述显示面板200具有显示区101及位于显示区101外侧的边框区102;所述显示面板200包括阵列排布的多个子像素11、分别与多行子像素11连接的多条扫描线13以及分别设于子像素11阵列两侧的第一GOA(Gate Driveron Array,阵列基板行驱动)电路14及第二GOA电路15;每一扫描线13的一端电性连接第一GOA电路14,另一端电性连接第二GOA电路15;多个子像素11均设置在显示区101内,所述第一GOA电路14与第二GOA电路15均设置在边框区102内。所述显示面板200还包括分别与多列子像素11连接的多条数据线12。每一子像素11均包括一开关薄膜晶体管T1及一像素电极111。所述开关薄膜晶体管T1的栅极电性连接该子像素11连接的扫描线13,源级电性连接该子像素11连接的数据线12,漏极电性连接像素电极111。若采用上述显示面板200设置,其与摄像头等传感器相对区域的透光率会较低。
屏下摄像头技术中,最影响成像的因素是屏幕的透光率,因此,提高摄像头等传感器相对区域屏幕的透光率成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法,通过改变与摄像头等传感器相对的透光区的电路结构,实现提高透光率的效果。
为了解决上述问题,本发明提供一种显示面板,包括:至少一透光区和围绕所述透光区的显示区;所述显示区包括沿第一方向延伸的多条扫描线、沿第二方向延伸的多条数据线以及由相邻两扫描线与相邻两数据线定义的多个像素,每一像素对应的薄膜晶体管包括一栅极层、一源极和一漏极,所述栅极电性相接至其中一扫描线,所述源极电性相接至其中一数据线;所述第二方向与所述第一方向不同;所述透光区包括沿所述第二方向延伸的多条数据线以及相邻两数据线之间对应的类薄膜晶体管,所述类薄膜晶体管包括所述源极和所述漏极,所述源极电性相接至其中一数据线。
进一步的,其中所述显示面板还包括分别设于所述显示区两侧的第一GOA电路及第二GOA电路;每一扫描线的一端电性连接至所述第一GOA电路,另一端电性连接至所述第二GOA电路。
进一步的,其中所述显示面板还包括一控制模块,与所述显示面板电性连接;所述控制模块的两个起始信号输出端中的一个电性连接所述第一GOA电路,另一个电性连接所述第二GOA电路。
进一步的,其中所述透光区呈圆形、椭圆形、三角形、矩形或多边形中的任一种。
进一步的,其中所述第一方向与所述第二方向垂直。
进一步的,其中所述显示面板,还包括一传感器,与所述透光区相对设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





