[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 201910638195.5 | 申请日: | 2019-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN112242411A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
| 发明(设计)人: | 乐瑞仁;李冠锋 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
| 地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
第一子像素,包括第一发光单元以及设置于所述第一发光单元上的第一波长转换层,所述第一子像素提供从所述第一发光单元发射并经由所述第一波长转换层转换的第一光,所述第一光包括第一主峰以及第一子峰;以及
第二子像素,包括第二发光单元以及设置于所述第二发光单元上的第二波长转换层,所述第二子像素提供从所述第二发光单元发射并经由所述第二波长转换层转换的第二光,所述第二光包括第二主峰以及第二子峰;
其中所述第一主峰与所述第二主峰之间的第一波长差小于20纳米,且所述第一波长差小于所述第一子峰与所述第二子峰之间的第二波长差。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一子像素与所述第二子像素为蓝色子像素。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述第一波长差小于或等于2纳米。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述第一波长差与所述第二波长差的比值在0.2至0.8的范围。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
第一显示模块以及与所述第一显示模块拼接的第二显示模块;
其中所述第一子像素设置在所述第一显示模块中,且所述第二子像素设置在所述第二显示模块中。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一子峰以及所述第二子峰的波长在390纳米至460纳米的范围,且所述第一主峰以及所述第二主峰的波长在460纳米至470纳米的范围。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
第一光遮蔽结构,其中所述第一光遮蔽结构环绕所述第一发光单元及所述第二发光单元。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,还包括:
第二光遮蔽结构,设置于所述第一光遮蔽结构上,其中于俯视所述显示装置的方向上所述第一光遮蔽结构重叠于所述第二光遮蔽结构。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一波长转换层包括主动层及保护层,且所述保护层设置于所述第一发光单元与所述主动层之间。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一波长转换层包括主动层及保护层,且所述保护层设置于所述主动层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





