[发明专利]含三环庚烷的有机化合物及其制备方法和包含该化合物的有机电致发光器件有效
| 申请号: | 201910636296.9 | 申请日: | 2019-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN110437081B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
| 发明(设计)人: | 王亚龙;李红燕;薛震;王金平;陈志伟;李林刚;闫山;王卫军;任增刚 | 申请(专利权)人: | 陕西莱特光电材料股份有限公司 |
| 主分类号: | C07C211/54 | 分类号: | C07C211/54;C07C211/61;C07D307/91;C07D209/88;C07D209/08;C07D235/06;C07C211/58;C07C255/58;C07D209/86;C07D405/12;C07D409/12;C07D333/76;H01L51/50 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 张海平 |
| 地址: | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 含三环 庚烷 有机化合物 及其 制备 方法 包含 化合物 有机 电致发光 器件 | ||
本发明涉及含三环庚烷的有机化合物及其制备方法和包含该化合物的有机电致发光器件,该有机化合物的结构式如下:A是取代或未取代的三庚烷基团;本发明在三芳基胺的基础上,引入了三环庚烷作为新的核心基团,改变了分子形态,从而提升材料成膜性;三环庚烷基团本身具有较大的空间位阻和刚性结构,同时其非共轭的分子结构不会影响三芳基胺的电子能级,保证了材料的空穴传输性能。本发明提供的有机化合物稳定性能高、成膜性能好,由该化合物制备的有机电致发光器件,表现出高效率、低驱动电压和寿命长的特点。
技术领域
本发明涉及有机光电材料领域,具体涉及含三环庚烷的有机化合物及其制备方法和包含该 化合物的有机电致发光器件。
背景技术
电致发光(EL)是指在一定的电场下,一些有光电性质的材料被相应的电能激发,从激发态 回到基态时产生的发光现象。
近年来,有机电致发光器件(OLED)作为新一代显示技术逐渐进入人们的视野。有机电致 发光器件(OLEDs)为在两个金属电极之间通过旋涂或者真空蒸镀沉积一层有机材料制备而成 的器件,一个经典的三层有机电致发光器件包含空穴传输层、发光层和电子传输层。为了提高 有机电致发光器件的亮度、效率和寿命,通常在器件中使用多层结构。这些多层结构包括:空 穴注入层(hole injection layer),空穴传输层(holetransportlayer),电子阻挡层((electron-blocking layer)、发光层(emitting layer)和电子传输层(electron transport layer)等等。有机电致发光器件可 以根据需要通过改变发光层的材料来调节发射各种需要的光,有机电致发光器件性能的好坏取 决于材料的选择。这些有机层具有提高载流子(空穴和电子)在各层界面间的注入效率,平衡载 流子在各层之间传输的能力,从而提高器件的亮度和效率。
众所周知芳香胺的衍生物在OLED器件中作为空穴传输材料、电子传输材料及发光材料, 空穴传输材料应与阳极界面具有较低的电离能,同时具备较高的空穴迁移率,从而形成无针孔 的薄膜且热稳定良好。目前,虽然大量性能优良的芳香胺类衍生物材料已被陆续开发出来,但 该技术仍然存在很多问题,如何设计性能更好的材料,使器件能够达到低电压、高效率和寿命 长的效果,一直是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的问题,提供含三环庚烷的有机化合物及其制备方 法和包含该化合物的有机电致发光器件,该化合物具有优异的空穴传输性能,可用于制作有机 电致发光器件,能够有效提高有机电致发光器件的发光效率和使用寿命。
为了达到上述目的,本发明采用如下技术方案:该有机化合物的结构式如下式Ⅰ所示:
其中,B是由式Ⅱ表示的基团:
其中,a、b和c均是0~1的整数,且1≤a+b+c≤3;当a、b或c为0时,A为氢;当a、b 或c为1时,A是如下式Ⅲ所示的取代或未取代的三庚烷基团:
L是单键、取代或未取代的碳数6-30的亚芳基、取代或未取代的碳数6-30的杂亚芳基、 取代或未取代的碳数2-11的亚烷基、取代或未取代的碳数2-11的环亚烷基、取代或未取代的 碳数2-11的亚烯基、取代或未取代的碳数2-11的环亚烯基、取代或未取代的碳数2-11的杂环 亚烯基、取代或未取代的碳数2-11的亚炔基、取代或未取代的碳数2-11的环亚炔基、取代或 未取代的碳数2-11的杂亚环炔基;
Ar1和Ar2各自独自选自由以下组成的组:取代或者未取代的环碳原子数为6-30的芳基、 取代或者未取代的环碳原子数为5-30的杂芳基。
进一步地,L选自下述结构中的任一个:
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