[发明专利]芯片封装结构的制作方法有效
申请号: | 201910636279.5 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN112233987B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/78 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 制作方法 | ||
1.一种芯片封装结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供载板和多个晶粒,每一所述晶粒包括正面与背面,所述正面具有电互连结构;将所述多个晶粒的正面固定于所述载板;
在所述各个晶粒以及各个晶粒之间的载板表面形成包埋所述各个晶粒的第一塑封层;所述第一塑封层包括相对的内表面与外表面,所述外表面分为第一区与第二区,所述第一区至少为围绕所有晶粒的一圈;
在所述第二区设置支撑板,使用粘胶粘结所述支撑板与所述第一塑封层;所述粘胶包括第一区段与第二区段,所述第一区段位于所述第一区,所述第二区段位于所述支撑板上;
去除所述载板,暴露每一晶粒的正面;所述支撑板提供支撑,在所述每一晶粒的正面至少形成外引脚;
去除所述支撑板,形成多芯片封装结构;
切割所述多芯片封装结构形成多个芯片封装结构。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述载板划分为若干区域,每一区域包含若干晶粒;所述第一区为围绕所述每一区域的所有晶粒的一圈。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述支撑板具有在厚度方向上贯通的排气孔。
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述排气孔为若干个,在所述支撑板上均等分布。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述第一区位于所述多芯片封装结构的切割道内。
6.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述粘胶为热分离胶。
7.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在所述每一晶粒的正面形成外引脚包括:
在所述外引脚与所述第一塑封层上形成包埋所述外引脚的第二塑封层;
研磨所述第二塑封层直至暴露出所述外引脚。
8.根据权利要求1或7所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在所述每一晶粒的正面形成再布线层,所述外引脚形成在所述再布线层上;或在所述每一晶粒的正面依次形成再布线层以及扇出线路,所述外引脚形成在所述扇出线路上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造