[发明专利]制造MRAM单元的阵列的方法、写入该MRAM单元的方法有效
| 申请号： | 201910635581.9 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110729005B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 应继锋;王仲盛;牛宝华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 mram 单元 阵列 方法 写入 | ||
一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法包括写入磁性随机存取存储器单元。写入存储器单元包括确定所述存储器单元的阵列的最佳写入电流；以及将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一存储器单元。将第一读取电流应用于第一存储器单元以响应于应用所述最佳写入电流，确定第一存储器单元的磁取向是否已经改变。当第一存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于第一存储器单元。第二写入电流不同于最佳写入电流。将第二读取电流应用于第一存储器单元，以响应于应用第二读取电流，确定第一存储器单元的磁取向是否改变。本发明实施例还涉及写入磁性随机存取存储器单元的方法。
技术领域
本发明实施涉及制造MRAM单元的阵列的方法、写入该MRAM单元的方法。
背景技术
磁性随机存取存储器(MRAM)提供了与易失性固态随机存取存储器(SRAM)可比较的性能并提供了与易失性动态随机存取存储器(DRAM)可比较的密度与更低功耗。与非易失性存储器(NVM)闪速存储器相比较，MRAM提供了更快的访问时间并且随着时间推移经受最小劣化，然而，闪速存储器仅可以有限次数地重写。MRAM单元通过磁性隧道结(MTJ)形成，该磁性隧道结包括通过薄绝缘阻挡件分离的两个铁磁层，并且MRAM单元通过两个铁磁层之间的电子遂穿通过绝缘阻挡件进行工作。
发明内容
本发明的实施例提供一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法，包括写入磁性随机存取存储器单元，该写入磁性随机存取存储器单元包括：确定用于所述磁性随机存取存储器单元的阵列的最佳写入电流；将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一磁性随机存取存储器单元；将第一读取电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元以响应于所述应用所述最佳写入电流，确定所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向是否已经改变；当所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元，其中，所述第二写入电流不同于所述最佳写入电流；以及将第二读取电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元，以响应于所述应用所述第二读取电流，确定所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向是否已经改变。
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