[发明专利]一种基于衬底集成波导重入式谐振腔的湿度传感器有效

专利信息
申请号: 201910635203.0 申请日: 2019-07-15
公开(公告)号: CN110346414B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 黄杰;魏治华;李俊杉;倪星生;刘旭扬 申请(专利权)人: 西南大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 重庆华科专利事务所 50123 代理人: 康海燕
地址: 400715*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 衬底 集成 波导 重入式 谐振腔 湿度 传感器
【权利要求书】:

1.一种基于衬底集成波导重入式谐振腔的湿度传感器,其特征在于:所述湿度传感器包含衬底集成波导重入式谐振腔(1)和一段特征阻抗为50Ω的共面波导馈电线(2);

所述谐振腔(1)包括从上到下纵向叠合的四块介质基板,每块介质基板均具有顶层金属层、中间介质层以及底层金属层三层结构;第一介质基板(1-1)的底层金属层、第二介质基板(1-2)的顶层金属层、第三介质基板(1-3)的底层金属层及第四介质基板(1-4)的顶层金属层均刻蚀有一块形状面积相同的第一扇形凹槽(1-6);所述第一介质基板(1-1)的底层金属层与第四介质基板(1-4)的顶层金属层在所述第一扇形凹槽(1-6)区域均留有一块扇形金属(1-1-1)未刻蚀,所述扇形金属(1-1-1)的半径小于所述第一扇形凹槽(1-6)半径,角度相同,弧线平行;所述第一介质基板(1-1)和第四介质基板(1-4)的中间介质层在对应所述扇形金属(1-1-1)区域位置刻蚀有多个周期分布的金属化通孔(1-1-2),所述扇形金属(1-1-1)和金属化通孔(1-1-2)共同形成谐振腔的电容柱结构;同时所述第一介质基板(1-1)和第四介质基板(1-4)的中间介质层刻蚀有数个非金属化空气通孔(1-1-3),均匀分布在所述扇形金属(1-1-1)区域的两侧;所述第二介质基板(1-2)的中间介质层的底部与第三介质基板(1-3)的中间介质层的顶部均刻蚀有一块第二扇形凹槽(1-2-1),分别与各自金属层刻蚀的第一扇形凹槽(1-6)连通,面积相同,形成传感区域;所述第二介质基板(1-2)的底层金属层与第三介质基板(1-3)的顶层金属层在对应第一扇形凹槽(1-6)的两侧位置均刻蚀有一长条凹槽(1-2-2),连成L型;所述四块介质基板纵向叠合,第一介质基板(1-1)和第二介质基板(1-2)的第一扇形凹槽(1-6)上下对齐,第三介质基板(1-3)和第四介质基板(1-4)的第一扇形凹槽(1-6)上下对齐,形成扇形的谐振腔(1)腔体;所述共面波导馈电线(2)位于第一介质基板(1-1)的顶层金属层上,从谐振腔(1)腔体的扇形弧长中间位置馈入;每一块介质基板的中间介质层均刻蚀有多个金属化通孔(1-5),均匀分布在谐振腔(1)腔体的外围与馈电线(2)的两侧,用于等效谐振腔的金属边界。

2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于: 所述第一扇形凹槽(1-6)的形状为四分之一圆形,整个谐振腔(1)腔体就由一个圆形重入式谐振腔沿直径折叠结构的二分之一模构成。

3.根据权利要求1或2所述的传感器,其特征在于:所述第二介质基板(1-2)与第三介质基板(1-3)为镜面对称结构,二者金属层上刻蚀的长条凹槽(1-2-2)具有相同的长度与宽度,且二者中间介质层上刻蚀的第二扇形凹槽(1-2-1)也具有相同深度。

4.根据权利要求1或2所述的传感器,其特征在于:所述第一介质基板(1-1)与第四介质基板(1-4)的各层厚度相同,所述第二介质基板(1-2)与第三介质基板(1-3)的各层厚度相同,所有四块介质基板的长度与宽度均相同。

5.根据权利要求1或2所述的传感器,其特征在于:所述共面波导馈电线(2)为锥形渐变结构,其总长度为18.5mm,外侧宽度为2.77mm,内侧宽度为2mm。

6.根据权利要求1或2所述的传感器,其特征在于:所述非金属化空气通孔(1-1-3)直径为0.5mm,两相邻空气通孔间的间距为1.25mm。

7.根据权利要求1或2所述的传感器,其特征在于:所述四块介质基板的中间介质层材料均为F4B-2,其相对介电常数为2.65,相对磁导率为1,损耗正切角为0.001。

8.根据权利要求1或2所述的传感器,其特征在于:所述第二介质基板(1-2)和第三介质基板(1-3)的中间介质层上的第二扇形凹槽(1-2-1)半径为15mm,深度为0.3mm。

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