[发明专利]一种引入离子扩散层的双层氧化镍薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种引入离子扩散层的双层氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）将覆盖有ITO的玻璃基片分别于三氯乙烯、丙酮、乙醇中超声清洗5-10min，除去表面覆盖的灰尘及油脂，之后使用去离子水对基片进行清洗，除去上面残留的乙醇，最后使用氮气吹干，得到洁净的ITO基片；

（2）结晶层生长过程：本实验采用射频反应溅射方法制备NiO薄膜，使用的靶材为纯度为99.99%的金属镍；首先将得到的洁净的ITO玻璃装入磁控溅射生长托盘中后将托盘放入腔室中的相应的衬底托盘卡位；接下来对真空室抽真空，当腔室内的压强达到4×10^-4Pa以下时打开加热器对衬底进行加热，当温度达到设定温度时开始对腔室内充气；设定温度为100℃～450℃，所充入气体为O₂与Ar的混合气，O₂在混合气体中的比例为1%～90%，生长过程中保持腔室内的压强恒定，压强为0.1Pa～5Pa；溅射功率为10W~200W；生长时间为1min～100min；

（3）扩散层生长过程：本实验采用射频反应共溅射方法制备铜掺杂非晶态氧化镍薄膜，使用的靶材为纯度为99.99%的金属镍与纯度为99.9%的金属铜；制备时首先将长有结晶态氧化镍薄膜的ITO玻璃装入磁控溅射生长托盘中后将托盘放入腔室中的相应的衬底托盘卡位，设定温度为100℃～450℃，所充入气体为O₂与Ar的混合气，O₂在混合气体中的比例为1%～90%，生长过程中保持腔室内的压强恒定，压强为0.1Pa～5Pa，镍靶溅射功率为10W~200W，铜靶溅射功率为10W~200W；生长时间为1min～100min。