[发明专利]图像传感器的形成方法在审
| 申请号： | 201910629736.8 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN112216708A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李杰;付文;张浩然 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 形成 方法 | ||
1.一种图像传感器芯片的形成方法，其特征在于，
于晶圆厂形成图像传感器芯片的器件结构；
于晶圆厂采用无机材质直接形成微透镜结构；
完成图像传感器芯片的封装。
2.根据权利要求1所述的图像传感器芯片的形成方法，其特征在于，
S100：在晶圆厂于半导体衬底上依次形成第一无机材料层、光阻层；
S200：刻蚀第一无机材料层、光阻层；
S300：去除光阻层；
S400：于所述第一无机材料层上再形成第二无机材料层，形成微透镜。
3.根据权利要求2所述的图像传感器芯片的形成方法，其特征在于，
所述S200步骤中，采用控制角度的刻蚀方式，形成第一无机材料层的底部宽于上部。
4.根据权利要求1所述的图像传感器芯片的形成方法，其特征在于，
S100’：在晶圆厂于半导体衬底上依次形成第一无机材料层、光阻层；
S200’：刻蚀第一无机材料层、光阻层，采用控制角度的刻蚀方式，形成间隔的第一无机材料层的底部宽于上部；
S300’：去除光阻层；
S310’，采用各向同性刻蚀间隔的第一无机材料层形成更小的第一无机材料层结构；
S400’：于所述更小的第一无机材料层结构上再形成第二无机材料层，形成微透镜。
5.根据权利要求1所述的图像传感器芯片的形成方法，其特征在于，
S100’’：在晶圆厂于半导体衬底上依次形成第一无机材料层、光阻层；
S200’’：刻蚀第一无机材料层、光阻层，控制光阻层的形状尺寸小于间隔的第一无机材料层；
S210’’:刻蚀间隔的第一无机材料层，形成阶梯形状的第一无机材料层；
S400’’：于所述刻蚀后的光阻层、阶梯形状的第一无机材料层上再形成第二无机材料层，形成微透镜。
6.根据权利要求2至5中任意一项所述的图像传感器芯片的形成方法，其特征在于，于所述形成第二无机材料层的步骤中，先生长厚度小于等于半个图像传感器单元的第二无机材料层，再对所述第二无机材料层进行刻蚀，形成微透镜。
7.根据权利要求6中所述的图像传感器芯片的形成方法，其特征在于，于所述形成第二无机材料层的步骤中，可多次进行第二无机材料层的生长和刻蚀，形成微透镜。
8.根据权利要求1所述的图像传感器芯片的形成方法，其特征在于，所述微透镜为多边形、圆形、椭圆形。
9.根据权利要求1所述的图像传感器芯片的形成方法，其特征在于，所述第一无机材料层、第二无机材料层为氧化硅 、氮化硅、氮氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
