[发明专利]一种电流保护模块、系统及方法有效
申请号: | 201910629467.5 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN110350485B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 石明杰;刘启武 | 申请(专利权)人: | 四川虹美智能科技有限公司 |
主分类号: | H02H7/12 | 分类号: | H02H7/12;H02H3/02;H02M1/42 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 李世喆 |
地址: | 621050 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 保护 模块 系统 方法 | ||
1.一种电流保护模块,其特征在于,包括:
主芯片、三极管、电流保护门槛值设计单元和具有多组差分比较器的差分比较器芯片;
其中,所述差分比较器包括第一输入端、第二输入端和输出端;
其中,所述多组差分比较器中的至少两组第一差分比较器,与外部多路PFC模块中的至少两个功率开关电路一一对应;
对于任一所述第一差分比较器,其第一输入端与对应功率开关电路相连,其第二输入端与所述电流保护门槛值设计单元相连,其输出端与所述三极管相连;
所述三极管与所述主芯片相连;
所述差分比较器芯片,用于采样每一个所述功率开关电路的电流采样信号;任一所述电流采样信号对应的数值超过所述电流保护门槛值设计单元所确定出的电流保护门槛值时,控制所述三极管导通;
所述主芯片,用于所述三极管导通时,确定所述多路PFC模块出现电流异常并执行电流保护处理;
所述电流保护门槛值设计单元包括:第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻;
其中,所述第一电容的第一端接所述差分比较器芯片的VCC管脚,第二端接地;
第二电容的第一端接所述VCC管脚,第二端接地;
所述第三电容的第一端分别接各个所述第一差分比较器的第二输入端,第二端接地;
所述第一电阻的第一端接所述第三电容的第一端,第二端接地;
所述第二电阻的第一端接所述VCC管脚,第二端接所述第三电容的第一端;
对应地,所述电流保护门槛值符合公式一;
所述公式一包括:V0=[R1/(R1+R2)]×U
其中,V0为所述电流保护门槛值,R1为所述第一电阻的阻值,R2为所述第二电阻的阻值,U为所述VCC管脚处的电压值;
还包括:与所述至少两组第一差分比较器一一对应的至少两个第三电阻和至少两个第四电容;
其中,任一所述第三电阻的第一端均接对应第一差分比较器的第一输入端,第二端均接与对应第一差分比较器相对应的功率开关电路;
任一所述第四电容的第一端均接对应第一差分比较器的第一输入端,第二端均接地;
还包括:第五电容、第四电阻和第五电阻;
其中,所述第五电容的第一端接所述三极管,第二端接地;
所述第四电阻的第一端接所述第五电容的第一端,第二端接所述主芯片;
所述第五电阻的第一端接所述第四电阻的第二端,第二端接地。
2.根据权利要求1所述的电流保护模块,其特征在于,
所述三极管为PNP三极管;
所述第一输入端为In-管脚,所述第二输入端为In+管脚;
任一所述第一差分比较器的输出端均接所述PNP三极管的基极;
所述主芯片接所述PNP三极管的集电极;
所述PNP三极管的发射极接外部电压;
对应地,
所述差分比较器芯片,用于任一所述电流采样信号对应的数值超过所述电流保护门槛值设计单元所确定出的电流保护门槛值时,输出低电平信号至所述PNP三极管的基极;
所述PNP三极管,用于基极输入低电平信号以使所述外部电压从发射极导通到集电极时,经集电极输出高电平信号至所述主芯片;
所述主芯片,用于输入高电平信号时确定所述多路PFC模块出现电流异常。
3.根据权利要求1所述的电流保护模块,其特征在于,
所述三极管为NPN三极管;
所述第一输入端为In+管脚,所述第二输入端为In-管脚;
任一所述第一差分比较器的输出端均接所述NPN三极管的基极;
所述主芯片接所述NPN三极管的发射极;
所述NPN三极管的集电极接外部电压;
对应地,
所述差分比较器芯片,用于任一所述电流采样信号对应的数值超过所述电流保护门槛值设计单元所确定出的电流保护门槛值时,输出高电平信号至所述NPN三极管的基极;
所述NPN三极管,用于基极输入高电平信号以使所述外部电压从集电极导通到发射极时,经发射极输出高电平信号至所述主芯片;
所述主芯片,用于输入高电平信号时确定所述多路PFC模块出现电流异常。
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