[发明专利]一种紫外光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910625116.7 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110416333B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;刘星月;刘智勇;谭先华;孙博;史铁林 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/0203;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：
(1)采用光刻套刻工艺和蒸发镀膜工艺在带有氮化硅绝缘层的硅基底上制备电极层；
(2)在所述电极层上制备紫外探测薄膜，所述紫外探测薄膜是Mn掺杂CsPbBr3xCl3(1-x)紫外探测薄膜，其是通过在所述电极层上依次蒸镀PbCl2层、CsBr层、CsCl层和MnCl2层而形成的；其中，x为0.05～0.1；
(3)采用滴涂方式在所述紫外探测薄膜上制备封装保护层，以将所述紫外探测薄膜进行封装，由此得到所述紫外光电探测器。
2.如权利要求1所述的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述电极层的电极规律排布，且电极之间的间距为10μm～40μm。
3.如权利要求1所述的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，CsBr层、CsCl层与PbCl2层采用的蒸发速度均为
4.如权利要求1所述的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述紫外探测薄膜以250℃～350℃退火15min。
5.如权利要求1-4任一项所述的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述封装保护层在80℃～100℃下加热15min～20min进行烘干。
6.一种紫外光电探测器，其特征在于：该紫外光电探测器是采用权利要求1-5任一项所述的紫外光电探测器的制备方法制备而成的。
7.如权利要求6所述的紫外光电探测器，其特征在于：所述PbCl2层的厚度为150nm～200nm；所述MnCl2层的厚度为10nm～15nm。
8.如权利要求6所述的紫外光电探测器，其特征在于：所述电极层的厚度为80nm～100nm。
9.如权利要求6所述的紫外光电探测器，其特征在于：所述封装保护层为PDMS层；所述紫外探测薄膜的禁带为2.85eV。
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