[发明专利]一种低温电化学还原钒氧化物制备金属钒的方法

权利要求书

1.一种低温电化学还原钒氧化物制备金属钒的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

将钒氧化物加入电解液中，以金属基体为阴极，惰性导电材料为阳极，在温度60℃～100℃，电压2.0V～4.5V的条件下进行电沉积，沉积结束后，取出阴极产物，得到金属钒，其中，所述电解液为离子液体，所述钒氧化物在离子液体中的溶解度大于30mmol/L，所述方法还包括向所述电解液中加入添加剂，所述添加剂为丙二酸、抗坏血酸或水杨酸中的一种或两种以上组合。

2.根据权利要求1所述的低温电化学还原钒氧化物制备金属钒的方法，其特征在于，所述离子液体为低共熔溶剂、咪唑类离子液体和吡啶类离子液体中的一种或两种以上组合。

3.根据权利要求1所述的低温电化学还原钒氧化物制备金属钒的方法，其特征在于，所述钒氧化物为五氧化二钒、三氧化二钒、二氧化钒以及一氧化钒中的一种或几种组合。

4.根据权利要求1所述的低温电化学还原钒氧化物制备金属钒的方法，其特征在于，所述钒氧化物为粉末状。

5.根据权利要求1所述的低温电化学还原钒氧化物制备金属钒的方法，其特征在于，所述阴极产物为附着在所述金属基体上的金属钒镀层或金属钒薄膜。

6.根据权利要求5所述的低温电化学还原钒氧化物制备金属钒的方法，其特征在于，所述方法还包括将所述金属钒镀层或金属钒薄膜从所述金属基体分离得到金属钒粉末的步骤。

7.根据权利要求5所述的低温电化学还原钒氧化物制备金属钒的方法，其特征在于，所述金属钒镀层或金属钒薄膜的厚度为10μm-500μm。