[发明专利]一种功率器件的生产工艺方法

权利要求书

1.一种功率器件的生产工艺方法，其特征在于，包括：对所有元器件来料进行检验，合格产品进行下一轮生产，不合格产品直接作废或是退换供应商；检测合格的产品通过表面组装和研磨技术制作具有外延层的基层衬底结构；在基层衬底结构上依次铺设栅氧层和多晶栅极，并对所述多晶栅极进行氧化处理，以形成氧化层；在所述氧化层上生成一层氮化硅层，以形成目标衬底结构，并在目标衬底结构上，铺设一层光刻层；通过物理CMP和电浆干式蚀刻技术在光刻层依次形成下沉区、场氧化层和栅氧化层；在所述场氧化层上依次形成所述防静电二极管单元的N型基区和所述功率单元的硅栅结构；在形成N型基区后，依次形成体区、漂移区、漏区、源区和P型离子区，以完成所述功率单元的制备；在完成上述区域的划分后，通过化学槽清洗的方法除去光刻层；最后对上述处理的器件通过溅镀的方式提供多种金属及合金与硅晶片的结合，完善功率器件的制做。

2.根据权利要求1所述的一种功率器件的生产工艺方法，其特征在于：所述N型基区依次形成阴极离子区、阳极离子区、氧化层和金属硅化物，以完成所述防静电二极管的制备。

3.根据权利要求1所述的一种功率器件的生产工艺方法，其特征在于：所述物理CMP为化学机械研磨，是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或衬底材料进行平坦化处理，所述电浆干式蚀刻技术配合物理CMP使用，可以完善晶片超薄化，同时移除应力，使晶片平坦性佳。

4.根据权利要求1所述的一种功率器件的生产工艺方法，其特征在于：所述溅镀为多层金属与合金溅镀。