[发明专利]一种浪涌保护电路

权利要求书

1.一种浪涌保护电路，其特征在于，应用于电子设备的输入端口，包括：正控制模块、负控制模块、第一泄放模块、第二泄放模块以及阻抗模块；其中：

所述正控制模块的输出端、所述负控制模块的输出端、所述第一泄放模块的控制端、所述第二泄放模块的控制端以及所述阻抗模块的一端均相连；

所述正控制模块的输入端与所述第一泄放模块的输入端相连，连接点与所述电子设备的正输入端口相连；

所述负控制模块的输入端与所述第二泄放模块的输入端相连，连接点与所述电子设备的负输入端口相连；

所述第一泄放模块的输出端、所述第二泄放模块的输出端以及所述阻抗模块的另一端均相连；

当所述正控制模块接收到的正浪涌电压大于第一阈值电压时，控制所述第一泄放模块将所述正浪涌电压通过所述第二泄放模块泄放至所述电子设备的负输入端口；

当所述负控制模块接收到的负浪涌电压的绝对值大于第二阈值电压时，控制所述第二泄放模块将所述负浪涌电压通过所述第一泄放模块泄放至所述电子设备的正输入端口。

2.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述第一泄放模块，包括：第一开关管和第一二极管；其中：

所述第一开关管的输入端作为所述第一泄放模块的输入端，所述第一开关管的输出端作为所述第一泄放模块的输出端，所述第一开关管的控制端作为所述第一泄放模块的控制端；

所述第一二极管反向并联于所述第一开关管的输入端和所述第一开关管的输出端之间。

3.根据权利要求2所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述第一开关管为N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管NMOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述第二泄放模块，包括：第二开关管和第二二极管；其中：

所述第二开关管的输入端作为所述第二泄放模块的输入端，所述第二开关管的输出端作为所述第二泄放模块的输出端，所述第二开关管的控制端作为所述第二泄放模块的控制端；

所述第二二极管反向并联于所述第二开关管的输入端和所述第二开关管的输出端之间。

5.根据权利要求4所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述第二开关管为NMOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述正控制模块，包括：第一稳压支路和第一隔离支路；其中：

所述第一稳压支路与所述第一隔离支路串联连接，串联后的一端作为所述正控制模块的输入端，串联后的另一端作为所述正控制模块的输出端。

7.根据权利要求6所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述第一稳压支路，包括：N1个依次串联连接的稳压二极管，串联后的负极作为所述第一稳压支路的输入端，串联后的正极作为所述第一稳压支路的输出端；N1为不小于1的整数；

所述第一隔离支路，包括：N2个依次串联的二极管，串联后的阳极作为所述第一隔离支路的输入端，串联后的阴极作为所述第一隔离支路的输出端；N2为不小于1的整数。

8.根据权利要求7所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述负控制模块，包括：第二稳压支路和第二隔离支路；其中：

所述第二稳压支路与所述第二隔离支路串联连接，串联后的一端作为所述负控制模块的输入端，串联后的另一端作为所述负控制模块的输出端。

9.根据权利要求8所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述第二稳压支路，包括：N3个依次串联连接的稳压二极管，串联后的负极作为所述第二稳压支路的输入端，串联后的正极作为所述第二稳压支路的输出端；N3为不小于1的整数；

所述第二隔离支路，包括：N4个依次串联的二极管，串联后的阳极作为所述第二隔离支路的输入端，串联后的阴极作为所述第二隔离支路的输出端；N4为不小于1的整数。

10.根据权利要求9所述的浪涌保护电路、其特征在于，N1＝N3且N2＝N4；或者，

N1≠N3，和/或，N2≠N4。