[发明专利]具有塑料波导的半导体封装在审
| 申请号： | 201910620076.7 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110718540A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | M·沃杰诺维斯基;D·哈默施密特;W·哈特纳;J·洛德迈耶;C·马里奥蒂;T·迈尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01Q1/22;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 嵌入式天线 波导 塑料 半导体封装 半导体装置 传输射频 再分配层 耦合 附接 配置 封装 集成电路 传输 | ||
1.一种半导体装置，包括：
集成电路IC封装，包括：
半导体芯片；和
嵌入式天线，形成在耦合至所述半导体芯片的再分配层RDL内，其中所述RDL被配置为在所述半导体芯片和所述嵌入式天线之间传输射频RF信号；以及
塑料波导，附接至所述IC封装，并且被配置为在所述IC封装的外侧和所述嵌入式天线之间传输所述RF信号。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述塑料波导至少部分地布置在所述IC封装内。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述塑料波导被配置为在长度方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中长度方向的塑料波导被配置为从所述IC封装的侧面延伸。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中在垂直方向上形成所述天线。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述IC封装还包括集成硅微机电系统Si-MEMS元件。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述Si-MEMS元件是Si-MEMS波导。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述Si-MEMS波导被配置为在所述塑料波导的中心和所述IC封装之间投射RF波。
9.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：
嵌入式波导，布置在所述嵌入式天线和所述塑料波导之间。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述嵌入式波导是包括金属化通孔的嵌入式笼状波导。
11.根据权利要求3所述的半导体装置，
其中所述塑料波导被配置为从所述IC封装的顶部延伸，并且
所述半导体装置还包括反射器，所述反射器被配置为将所述RF信号从所述嵌入式天线重定向到所述塑料波导。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述塑料波导包括被配置为从所述IC封装的侧面延伸的第一长度方向塑料波导以及被配置为从所述IC封装的顶部延伸的第二垂直塑料波导。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述塑料波导被配置为在垂直方向上延伸。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述垂直塑料波导被配置为从所述IC封装的顶部延伸。
15.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括：
硅微机电系统Si-MEMS元件，
其中所述IC芯片被布置在所述Si-MEMS元件的顶部上。
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述Si-MEMS元件的开口具有与所述塑料波导近似相同的直径，并且所述塑料波导被布置为至少部分地在所述开口内。
17.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述塑料波导包括被配置为从所述IC封装的侧面沿长度方向延伸的第一塑料波导以及被配置为从所述IC封装的顶部沿垂直方向延伸的第二塑料波导。
18.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
嵌入式球面谐振器，布置在所述天线和所述塑料波导之间。
19.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
布置在所述天线和所述塑料波导之间的气隙。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910620076.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
