[发明专利]双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器

权利要求书

1.双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器，包括泵浦源、波分复用器一、增益光纤一、光开关、泵浦光源一、高反单元一、波分复用器二、增益光纤二、光饱和吸收体一、低反单元一、高非线性光子晶体光纤一、泵浦光源二、高反单元二、波分复用器三、增益光纤三、光饱和吸收体二、低反单元二和高非线性光子晶体光纤二，其特征在于：所述的增益光纤一、增益光纤二和增益光纤三均为多粒径硒化铅量子点光纤；所述泵浦源的输出光纤与波分复用器一的泵浦端相连；波分复用器一的输出端与增益光纤一的一端相连；增益光纤一的另一端与光开关的输入端相连，光开关的输出端分为a端和b端；光开关的a端与波分复用器二的信号源一端相连，波分复用器二的泵浦端与高反单元一一端相连，高反单元一的另一端与泵浦光源一的输出光纤相连，波分复用器二的输出端与增益光纤二一端相连，增益光纤二的另一端与光饱和吸收体一一端相连，光饱和吸收体一的另一端与低反单元一一端相连，低反单元一的另一端与高非线性光子晶体光纤一相连，高非线性光子晶体光纤一输出一种光谱范围的超连续谱激光；光开关的b端与波分复用器三的信号源一端相连，波分复用器三的泵浦端与高反单元二一端相连，高反单元二的另一端与泵浦光源二的输出光纤相连，波分复用器三的输出端与增益光纤三一端相连，增益光纤三的另一端与光饱和吸收体二一端相连，光饱和吸收体二的另一端与低反单元二一端相连，低反单元二的另一端与高非线性光子晶体光纤二相连，高非线性光子晶体光纤二输出另一种光谱范围的超连续谱激光。

2.根据权利要求1所述的双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器，其特征在于：所述的泵浦源、泵浦光源一和泵浦光源二均采用带单模尾纤的半导体激光器。

3.根据权利要求1所述的双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器，其特征在于：所述的高反单元一、高反单元二、低反单元一和低反单元二均采用光纤布拉格光栅。

4.根据权利要求1所述的双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器，其特征在于：所述高反单元一和高反单元二的反射率均为99.5％，低反单元一和低反单元二的反射率均为50％。

5.根据权利要求1所述的双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器，其特征在于：所述的光饱和吸收体一和光饱和吸收体二均采用单壁碳纳米管或石墨烯。

6.根据权利要求1所述的双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器，其特征在于：所述增益光纤一、增益光纤二和增益光纤三的芯径均为10μm，外径均为125μm。

7.根据权利要求1所述的双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器，其特征在于：所述泵浦源、泵浦光源一和泵浦光源二的波长均为980nm；增益光纤一、增益光纤二和增益光纤三激射的中心波长均为1100nm，半峰全宽均为200nm；光开关的中心波长为1000nm或1200nm；高反单元一、低反单元一和高非线性光子晶体光纤一的中心波长均为1000nm；高反单元二、低反单元二和高非线性光子晶体光纤二的中心波长均为1200nm。

8.根据权利要求1所述的双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器，其特征在于：所述泵浦源、泵浦光源一和泵浦光源二的波长均为980nm；增益光纤一、增益光纤二和增益光纤三激射的中心波长为1700nm，半峰全宽均为200nm；光开关的中心波长为1600nm或1800nm；高反单元一、低反单元一和高非线性光子晶体光纤一的中心波长均为1600nm；高反单元二、低反单元二和高非线性光子晶体光纤二的中心波长均为1800nm。

9.根据权利要求1所述的双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器，其特征在于：所述泵浦源、泵浦光源一和泵浦光源二的波长均为980nm；增益光纤一、增益光纤二和增益光纤三激射的中心波长均为2100nm，半峰全宽均为200nm；光开关的中心波长为2000nm或2200nm；高反单元一、低反单元一和高非线性光子晶体光纤一的中心波长均为2000nm；高反单元二、低反单元二和高非线性光子晶体光纤二的中心波长均为2200nm。

10.根据权利要求1所述的双波长硒化铅量子点超连续谱光纤激光器，其特征在于：所述泵浦源、泵浦光源一和泵浦光源二的波长均为980nm；增益光纤一、增益光纤二和增益光纤三激射的中心波长均为1500nm，半峰全宽均为200nm；光开关的中心波长为1400nm或1600nm；高反单元一、低反单元一和高非线性光子晶体光纤一的中心波长均为1400nm；高反单元二、低反单元二和高非线性光子晶体光纤二的中心波长均为1600nm。