[发明专利]一种低温度系数的单端口RC振荡器电路有效

专利信息
申请号: 201910619459.2 申请日: 2019-07-10
公开(公告)号: CN110266271B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 魏琦;周斌;鞠春鸽;李享;张嵘 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/24
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 孙楠
地址: 100084 北京市海淀区1*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 温度 系数 端口 rc 振荡器 电路
【说明书】:

发明涉及一种低温度系数的单端口RC振荡器电路,其包括充放电回路、比较器、负电阻和反相器。本发明结合了由MOS管构成的比较器和负电阻,抵消了跨导受温度的影响;进一步采用由正、负温度系数电阻组成的复合电阻,计算最优电阻温度系数,降低电阻、阈值电压等因素受温度影响带来的频率变化。该振荡器电路并未采用额外结构做温度补偿,具有结构简单、芯片面积非常小、温度稳定性较好等优点,可广泛应用于集成电路中。

技术领域

本发明涉及一种集成电路设计领域,特别是关于一种小面积、有温度补偿的低温度系数的单端口RC振荡器电路。

背景技术

振荡器是很多电路的基本组成部分。在数字系统中,最常用的振荡器是晶体振荡器,它具有精度高、稳定性好的特点,但是难以集成到芯片内部,并且增加了成本。随着CMOS工艺的发展,RC振荡器更易于芯片集成化,而且频率易调整,但是很容易受到电压、温度等环境及工艺因素的影响。

目前,RC振荡器的稳定性得到了很大提高,但是基本上结构复杂,大多采用一个模块构成反馈回路,进行温度补偿。这样增大了设计复杂度,并且增大了芯片面积。在使用低温医疗器械治疗时,探头常常需要深入到病人特定组织附近,利用低温破坏病变细胞,这样对振荡器的面积控制提出了更高的需求。

在单端口电路中,如果有振荡回路以及并联的一个正电阻和一个负电阻(R||(-R)=∞),振荡回路将不会有能量损失,将一直振荡下去。可以用有源电路构建负电阻,形成结构简单的单端口振荡器。负电阻的概念为,如果施加的电压增大,流过该电阻的阻值反而会减小。基于此原理的RCL振荡器易于设计,所用电路器件少,但是频率受温度较大。

发明内容

针对上述问题,本发明的目的是提供一种低温度系数的单端口RC振荡器电路,其在降低振荡器的温度系数的基础上,尽可能减小芯片面积,具有所占面积小、频率的温度系数较低等优点。

为实现上述目的,本发明采取以下技术方案:一种低温度系数的单端口RC振荡器电路,其特征在于包括:充放电回路、比较器、负电阻结构和反相器;所述充放电回路依次与所述比较器、负电阻结构和反相器连接,所述充放电回路包括电容C1和第一电阻R1,所述电容C1一端接地,所述电容C1另一端与所述第一电阻R1一端连接,并在所述电容C1与所述第一电阻R1之间引出第一输出端,所述第一电阻R1另一端为第二输出端;由所述充放电回路中电容C1上的电压信号控制所述比较器,进一步控制电路支路的选通,为所述负电阻结构提供输入电流,输出电压随着所述电容C1的充放电进行有规律的变化,形成振荡波形;并由所述反相器调整波形并输出信号。

进一步,所述比较器包括第一MOS管T1和第二MOS管T2;所述第一MOS管T1和第二MOS管T2的栅极均与所述充放电回路的第一输出端连接,进而由所述电容C1上的电压信号控制所述比较器;所述第一MOS管T1的漏极与高电平VDD连接,源极与所述负电阻结构一端连接;所述第二MOS管T2的漏极与所述负电阻结构另一端连接,源极接地。

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