[发明专利]一种晶棒的制备方法和设备

权利要求书

1.一种晶棒制备的方法，其特征在于，所述方法至少包含以下步骤：

提供单晶籽晶体和多晶半导体材料棒，所述多晶半导体材料棒为圆心处具有一贯穿孔的圆环柱状结构；

在所述多晶半导体材料棒外侧设置外部加热线圈；

在所述贯穿孔内部设置内部加热装置；

所述外部加热线圈和所述内部加热装置对所述多晶半导体材料棒进行加热，在所述单晶籽晶体和所述多晶半导体材料棒的第一端面之间产生熔融区；

移动所述外部加热线圈和所述内部加热装置，所述熔融区随着所述外部加热线圈和所述内部加热装置移动，自所述半导体材料棒的所述第一端面向所述多晶半导体材料棒的与所述第一端面相对的第二端面移动，以完成结晶过程。

2.根据权利要求1所述的晶棒制备的方法，其特征在于，所述多晶半导体材料棒和所述单晶籽晶体朝着相反的方向自旋。

3.根据权利要求1所述的晶棒制备的方法，其特征在于，所述外部加热线圈和所述内部加热装置朝着相反的方向自旋。

4.根据权利要求1-3之一所述的晶棒制备的方法,其特征在于，通过调整所述内部加热装置的位置、长度或温度的至少一种来控制结晶速率。

5.根据权利要求4所述的晶棒制备的方法，其特征在于，所述多晶半导体材料棒的材料为多晶硅。

6.根据权利要求4所述的晶棒制备的方法，其特征在于，所述多晶半导体材料棒的材料内具有掺杂物质。

7.根据权利要求4所述的晶棒制备的方法，其特征在于，所述外部加热线圈为高频感应线圈。

8.根据权利要求4所述的晶棒制备的方法，其特征在于，所述内部加热装置与所述多晶半导体材料棒不接触。

9.一种晶棒制备设备，其特征在于，所述设备包括：

外部加热线圈和内部加热装置；

所述内部加热装置能够置于圆环柱状的多晶半导体材料棒的圆心处的贯穿孔中；

所述多晶半导体材料棒能够置于所述外部加热线圈的空心部分中。

10.根据权利要求9所述设备，其特征在于，所述设备包括固定所述多晶半导体材料棒的第一固定装置和固定单晶籽晶体的第二固定装置。

11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于：所述第一固定装置和所述第二固定装置能朝着相反的方向自旋。

12.根据权利要求9或10所述设备，其特征在于，所述外部加热线圈和所述内部加热装置朝着相反的方向自旋。

13.根据权利要求9-12之一所述的设备，其特征在于：所述外部加热线圈为高频感应线圈。

14.根据权利要求9-12之一所述的设备，其特征在于，所述内部加热装置与所述多晶半导体材料棒不接触。

15.根据权利要求9-12之一所述的设备，其特征在于，所述外部加热线圈和所述内部加热装置能够沿着所述多晶半导体材料帮的第一端面向所述多晶半导体材料棒的与所述第一端面之间相对的第二端面移动。

16.根据权利要求9-12之一所述的设备其特征在于，所述内部加热装置由内部加热装置的第三固定装置固定。

17.根据权利要求9-12之一所述的设备，其特征在于，所述内部加热装置的第三固定装置能够改变所述内部加热装置的位置。

18.根据权利要求9-12之一所述的设备，其特征在于，通过调整所述内部加热装置的位置、长度或温度的至少一种来控制结晶速率。