[发明专利]一种改善mark点隐裂的方法在审

专利信息
申请号: 201910617679.1 申请日: 2019-07-10
公开(公告)号: CN110465755A 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 顾成阳;李影;宛正 申请(专利权)人: 阜宁苏民绿色能源科技有限公司
主分类号: B23K26/53 分类号: B23K26/53
代理公司: 32224 南京纵横知识产权代理有限公司 代理人: 董建林<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 224400 江苏省盐*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 横线 竖线 隐裂 激光器参数 垂直距离 激光能量 激光扫描 内部参数 内部控制 外部控制 不重叠 激光器 重叠处 硅片 两段 相等 制备 叠加 垂直 印刷
【权利要求书】:

1.一种改善mark点隐裂的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、调整激光器参数,激光器的Power Factor设置为50、PRF设置为0;

步骤二、以激光器扫描制备四个mark点,mark点由一条横线和两条竖线组成,两条竖线分别位于横线的两侧,竖线垂直于横线且位于横线的中心线上,两条竖线的靠近横线的端点到横线的垂直距离相等且大于零;

步骤三、四个mark点均位于硅片表面,将四个mark点作为印刷对位点;

步骤四、用激光扫描制备栅线,用于正电极印刷机台套印。

2.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法,其特征在于,所述mark点的画法包括以下步骤:

a、横向画一条直线,设该横线中点的坐标为(0,0),横线长度为0.5mm;

b、在横线上方画一条竖线,该竖线的中点坐标为(0,0.14),长度为0.22mm;

c、在横线下方画一条竖线,该竖线的中点坐标为(0,-0.14),长度为0.22mm;

d、组合上述一条横线与两条竖线,形成mark点,并复制三个mark点。

3.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法,其特征在于,所述硅片的中心点设为坐标原点(0,0),所述四个mark点的坐标分别为(-62.4,66.43),(62.4,66.43),(62.4,-66.43),(-62.4,-66.43)。

4.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法,其特征在于,所述激光器进行激光扫描时,频率为130kHz,Power Factor为130kHz,进给速度为200mm/s,功率100%。

5.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法,其特征在于,所述mark点中,两条竖线的远离横线的端点之间的垂直距离与横线的长度相等。

6.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法,其特征在于,所述竖线的靠近横线的端点到横线的垂直距离范围为0.03~0.04mm。

7.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法,其特征在于,所述四个mark点分别位于所述硅片的四角上。

8.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法,其特征在于,所述mark点中,横线长度为0.5mm。

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