[发明专利]复合光伏结构及其制造方法在审
申请号: | 201910616645.0 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN112216795A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 廖世文 | 申请(专利权)人: | 位速科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人: | 黄超;周春发 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种复合光伏结构,其特征在于,于一透明基板(20)上设有一第一光伏单元(30),于该第一光伏单元(30)上方叠置一与该第一光伏单元(30)并联的第二光伏单元(40);该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)的一上表层(33)、(43)及一下表层(31)、(41)分别为一透明电子传递层及一透明电洞传递层,该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)且各自在其所属的该上表层(33)、(43)及该下表层(31)、(41)之间设有一透明主动层(32)、(42);其中:
该透明基板(20)的板面上设有形成绝缘的一第一透明电极层(51)及一第二透明电极层(52),该第一光伏单元(30)以其该下表层(31)与该第二透明电极层(52)接触的型态设于该第二透明电极层上(52);该第一光伏单元(30)的该上表层(33)处覆设有一与该第一透明电极层(51)电气连接的第一透明导电层(61);该第二光伏单元(40)以其该下表层(41)与该第一透明导电层(61)接触的型态设于该第一透明导电层(61)上;该第二光伏单元(40)的该上表层(43)处覆设有一与该第二透明电极层(52)电气连接的第二透明导电层(62);该第一透明导电层(61)沿着该第一光伏单元(30)侧面延伸至该第一透明电极层(51),该第一光伏单元(30)侧面与该第一透明导电层(61)之间设有一第一绝缘层(71);该第二透明导电层(62)沿着该第二光伏单元(40)侧面、该第一透明导电层(61)侧面及该第一光伏单元(30)侧面延伸至该第二透明电极层(52),该第二光伏单元(40)侧面、该第一透明导电层(61)侧面及该第一光伏单元(30)侧面与该第二透明导电层(62)之间设有一第二绝缘层(72)。
2.如权利要求1所述的复合光伏结构,其特征在于,该复合光伏结构于该透明基板(20)的板面与该第一透明电极层(51)及该第二透明电极层(52)之间设有一光学硬化层(80)。
3.如权利要求1或2所述的复合光伏结构,其特征在于,该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)为有机光伏单元。
4.如权利要求1或2所述的复合光伏结构,其特征在于,该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)为钙钛矿光伏单元。
5.如权利要求1或2所述的复合光伏结构,其特征在于,该第一光伏单元(30)为有机光伏单元,该第二光伏单元(40)为钙钛矿光伏单元。
6.如权利要求1或2所述的复合光伏结构,其特征在于,该第一光伏单元(30)为钙钛矿光伏单元,该第二光伏单元(40)为有机光伏单元。
7.如权利要求1或2所述的复合光伏结构,其特征在于,该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)为有机光伏单元;该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)的该透明电子传递层为PEI或PEIE,厚度为0.5~10nm;该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)的该透明电洞传递层为PEDOT及PSS混合而成,厚度为100~500nm;该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)的该透明主动层(32)、(42)为P3HT及PCBM混合而成或PCPDTBT及PCBM混合而成,厚度为100~500nm。
8.如权利要求1或2所述的复合光伏结构,其特征在于,该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)为钙钛矿光伏单元;该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)的该透明电子传递层由PEDOT及PSS混合或由P3HT或PTAA所构成,厚度为100~500nm;该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)的该透明电洞传递层为含PDPP3T及PCBM混合而成,厚度为1~100nm;该第一光伏单元(30)及该第二光伏单元(40)的该透明主动层(32)、(42)由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其组合混合而成,厚度为200~800nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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