[发明专利]一种短H型结构的高频抛光石英晶片在审
| 申请号: | 201910615380.2 | 申请日: | 2019-07-09 | 
| 公开(公告)号: | CN110224681A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 | 
| 发明(设计)人: | 李辉;叶竹之 | 申请(专利权)人: | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 
| 主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/19 | 
| 代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 彭思思 | 
| 地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 翼缘板 腹板 抛光石英 压电石英晶体频率片 边框 谐振 对称设置 仿真结果 光刻腐蚀 切变振动 石英晶片 弯曲振动 矩形体 阻抗 和面 加工 保证 | ||
本发明公开了一种短H型结构的高频抛光石英晶片,包括形状为矩形体的腹板晶片和翼缘板晶片;所述翼缘板晶片数量为2、腹板晶片数量为1,翼缘板晶片对称设置在腹板晶片的两个相对短侧边上,构成H型钢形状的石英晶片;所述腹板晶片的长宽高分别为:X1、Y1、Z1;翼缘板晶片的长宽高分别为X2、Y2、Z2;其中:X2=Y1;1.12Z1≤Y2≤1.47Z1;0.007X1≤Z2≤0.029X1。本方案通过光刻腐蚀的方式加工出一体式新型结构压电石英晶体频率片,通过上述的外形及其尺寸,经过仿真结果可知,添加宽度方向的边框附载有助于更好的抑制该方向弯曲振动和面切变振动,从而保证其谐振的幅度够大,阻抗的幅值降低。
技术领域
本发明属于通讯领域,涉及一种短H型结构的高频抛光石英晶片。
背景技术
随着5G通信的发展,通信的波长越来越短,其通信频率相应的变的越来越高;AT切石英晶体谐振器或振荡器的核心部件是压电石英晶体频率片,其厚度与谐振频率满足:t=1664/f(其中t代表晶片的厚度;f代表晶片的频率),通过该式可以清楚地发现随着晶片的谐振频率的增加,晶片的厚度相应变的越来越薄。此外为了高频的石英晶片为了降低其阻抗往往通过改变晶片的表面粗糙度降低其谐振阻尼来实现的。其工艺方式采用抛光工艺来加工。
由于晶片变的越来越薄,其表面粗糙度低,导致晶片在清洗过程中晶片出现叠片现象。一旦两片晶片叠在一起后由于表面非常光滑出现真空区域,导致重叠区域无法清洗干净导致晶体谐振器DLD2(电平依赖特性)参数过大;如果强行分开将导致晶片破损。为此有必要通过改变晶片的外形,既能满足晶片振动的阻抗大小,又能保证晶片在清洗过程中重贴后留有一定的空隙无法粘黏在一起。
发明内容
本发明的目的在于:提供了一种短H型结构的高频抛光石英晶片,解决了上述问题。
本发明采用的技术方案如下:
一种短H型结构的高频抛光石英晶片,包括形状为矩形体的腹板晶片和翼缘板晶片;所述翼缘板晶片数量为2、腹板晶片数量为1,翼缘板晶片对称设置在腹板晶片的两个相对短侧边上,构成H型钢形状的石英晶片;
所述腹板晶片的长宽高分别为:X1、Y1、Z1;翼缘板晶片的长宽高分别为X2、Y2、Z2;
其中:X2=Y1;
0.111X1≤Y2≤0.207X1;
1.35Z1≤Z2≤1.76Z1。
为了解决传统问题的不足,本方案通过光刻腐蚀的方式加工出一体式新型结构压电石英晶体频率片,相比较传统平坦的石英晶片,由于边缘增加一定的质量,有可能导致附载增加影响晶体的振动阻抗增加。但是通过上述的外形及其尺寸,经过仿真结果可知,添加宽度方向的边框附载有助于更好的抑制该方向弯曲振动和面切变振动,从而保证其谐振的幅度够大,阻抗的幅值降低。
进一步,作为优选方案,所述腹板晶片的长宽高分别为1.35mm、0.93mm和0.017mm。
进一步,作为优选方案,所述翼缘板晶片的长宽高分别为0.93mm、0.015mm、0.023mm。
进一步,作为优选方案,所述翼缘板晶片的长宽高分别为0.93mm、0.017mm、0.026mm。
进一步,作为优选方案,所述翼缘板晶片的长宽高分别为0.93mm、0.028mm、0.030mm。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
1.本发明中打破传统的思维,创建H型钢形状的石英晶片。
2.本发明中虽然轻微改变了晶片的主振频率,但是实现了晶片直接接触后留有一定的间隙,防止了晶片因叠片出现清洗不干净或者清洗后晶片无法分开等现象。
附图说明
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