[发明专利]一种AgGaS2 有效
| 申请号： | 201910610980.X | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110422873B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张栋栋;陈平;赵春燕 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 宣慧兰 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 aggas base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种AgGaS2基中间带半导体材料的制备方法，其特征在于，以AgGaS2为中间带母体半导体，将元素Sn掺杂在半导体AgGaS2的Ga位，形成具有中间能带、化学式为AgGa1-
具体包括以下步骤：
（1）将Ag粉、Ga块、S粉和Sn粉按化学计量比真空封装于石英玻璃管中；
（2）将石英玻璃管进行一次烧结，将所得一次烧结样品研磨后重新真空封装于石英玻璃管中；
（3）将石英玻璃管进行二次烧结，将所得二次烧结样品研磨，即得到产品；
步骤（2）所述一次烧结的温度为800℃-900℃，烧结时间为60-80小时；
步骤（3）所述二次烧结的温度为800℃-900℃，烧结时间为60-80小时。
2.根据权利要求1所述的一种AgGaS2基中间带半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的Ag粉、Ga块、S粉和Sn粉的纯度均为5N。
3.根据权利要求1所述的一种AgGaS2基中间带半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）与步骤（3）中的石英玻璃管置于马弗炉中进行烧结。
4.根据权利要求1所述的一种AgGaS2基中间带半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）与步骤（3）中的研磨在玛瑙研钵中进行。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的制备方法制备得到的AgGaS2基中间带半导体材料。
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