[发明专利]一种针对半导体材料的基于有序-无序相变的形状记忆方法有效
| 申请号： | 201910610540.4 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110372029B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王勇;刘军;陈陆;杨杭生;张泽 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G5/00 | 分类号： | C01G5/00;H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 针对 半导体材料 基于 有序 无序 相变 形状 记忆 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种针对半导体材料的基于有序-无序相变的形状记忆方法，其特征在于：对于具有一级固态相变的半导体材料，通过升温诱导其低温有序相转变为高温无序相后，在高温相达到热力学平衡态之前就开始降温，使高温相重新转变成低温相，利用在达到热力学平衡态之前高温相内尚保留的残余有序度，实现对低温相形状的记忆，若在高温相达到热力学平衡态之后再开始降温，则不具有对低温相形状的记忆；
所述的具有一级固态相变的半导体材料是指：一级固-固相变的相变温度低于材料熔点，且高温相低温相共格的半导体材料，为Ag2S；
所述的通过升温诱导其低温有序相转变为高温无序相，具体是指：先升至低于所述材料一级固态相变的相变温度10-20℃，再快速升温至恰好跨过其相变温度；所述的快速升温是指升温速率大于10℃/s；
所述的在高温相达到热力学平衡态之前就开始降温，是指在升温至其转变为高温相后，保温时间不超过10分钟，就开始降温。
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