[发明专利]一种闪存读缓存的方法及其系统有效
申请号: | 201910609978.0 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN110321081B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 付东松;韩道静;刘金雷 | 申请(专利权)人: | 深圳忆联信息系统有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 518067 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 闪存 缓存 方法 及其 系统 | ||
本发明涉及一种闪存读缓存的方法及其系统;其中,方法,包括:S1,主机发起LBA_X的读数据请求;S2,SSD控制器通过查询L2P表,获取LBA_X对应的TLC物理块地址TLC物理块Y,第Z部分;S3,SSD控制器查询TLC物理块Y,第Z部分的复制地址SLC物理块P;S4,判断SLC物理块P是否存在;若是,进入S5;若否,则进入S6;S5,SSD控制器从SLC缓存区的物理块P中读取数据至主机;S6,SSD控制器从TLC缓存区的物理块Y中读取数据至主机。本发明通过将热数据从TLC缓存区读到SLC缓存区,提升了性能,还能在掉电情况下长久且大量的保持住热数据。
技术领域
本发明涉及闪存读缓存技术领域,更具体地说是指一种闪存读缓存的方法及其系统。
背景技术
目前主流的固态硬盘(SSD)基本都采用闪存(NAND)作为存储介质,为了降低SSD的价格,提升SSD的容量,目前基本都采用TLC(Trinary-Level Cell,即1个存储器储存单元存储3bit信息)闪存;TLC闪存的物理块可以切换成SLC(Single-Level Cell,即1个存储器储存单元存储1bit信息)模式使用,SLC模式的容量只有TLC模式的三分之一,但是具有更高的读写性能和更高的寿命,针对这一特性大部分厂家都将一部分TLC物理块切换成SLC模式作为写缓存使用,这样主机的写入性能得到大幅提升。
然而实际的用户使用场景中除了写数据,还会读数据,甚至有些热数据是频繁读取的,比如操作系统,现有的SSD读缓存技术基本都是DRAM缓存,即将热数据预先读取到DRAM中,后续主机请求的数据命中缓存后直接从DRAM中读取数据,性能比较高,然而它有以下缺点:1.DRAM空间有限无法缓存较多数据;2.DRAM中数据在掉电情况下就丢失了,无法长期保存;因此,无法满足需求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种闪存读缓存的方法及其系统。
为实现上述目的,本发明采用于下技术方案:
一种闪存读缓存的方法,包括以下步骤:
S1,主机发起LBA_X的读数据请求;
S2,SSD控制器通过查询L2P表,获取LBA_X对应的TLC物理块地址TLC物理块Y,第Z部分;
S3,SSD控制器查询TLC物理块Y,第Z部分的复制地址SLC物理块P;
S4,判断SLC物理块P是否存在;若是,进入S5;若否,则进入S6;
S5,SSD控制器从SLC缓存区的物理块P中读取数据至主机;
S6,SSD控制器从TLC缓存区的物理块Y中读取数据至主机。
其进一步技术方案为:所述S2中,还包括:将整个闪存中的物理块分为SLC缓存区和TLC缓存区,TLC缓存区的物理块设置成TLC模式,SLC缓存区的物理块设置成SLC模式,作为读缓存使用,容量为TLC模式的三分之一。
其进一步技术方案为:所述S2中,还包括:数据最开始存入TLC缓存区,SSD控制器的TLC缓存区管理模块管理着主机对该区域中每个物理块的读次数。
其进一步技术方案为:所述S2中,还包括:在主机对SSD读数据的过程中,TLC缓存区管理模块实时记录每个TLC物理块的读次数计数,读缓存决策模块的内部任务实时监测这些计数。
其进一步技术方案为:所述S2中,所述闪存读缓存决策模块的复制处理步骤如下:
A1,主机读取下一个1/3TLC新源物理块的读计数值cnt;
A2,判断cnt是否大于设定的阈值;若是,进入A3;若否,则返回A1;
A3,判断SLC缓存区是否存在剩余物理块;若是,进入A7;若否,则进入A4;
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