[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源区域，在衬底上沿第一方向延伸；

掩埋导电层，在所述衬底上沿所述第一方向延伸，使得所述掩埋导电层与所述有源区域相邻；

栅电极，沿交叉所述第一方向的第二方向延伸，使得所述栅电极交叉所述有源区域；

源/漏层，在所述栅电极的一侧在所述有源区域上；

栅隔离图案，在所述掩埋导电层上沿所述第一方向延伸，所述栅隔离图案与所述栅电极的一端相邻；以及

接触插塞，在所述源/漏层上并且延伸以电连接到所述掩埋导电层，所述接触插塞与所述栅隔离图案接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅隔离图案沿着所述掩埋导电层连续地延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅隔离图案具有比所述掩埋导电层的长度小的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅隔离图案包括具有不同宽度的部分。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中相比于所述源/漏层沿所述第二方向延伸，所述接触插塞沿所述第二方向延伸得更远。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述接触插塞包括接触部分，所述接触部分覆盖所述源/漏层的一端并且延伸至所述掩埋导电层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述有源区域包括凹陷区域，所述源/漏层在所述有源区域的所述凹陷区域上，以及

相对于所述衬底，所述掩埋导电层的上表面低于所述有源区域的所述凹陷区域的底部。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述掩埋导电层的下部在所述衬底中。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述掩埋导电层包括上部和下部，相对于所述衬底，所述上部高于所述下部，以及

所述掩埋导电层具有倾斜的侧壁，使得所述掩埋导电层的所述上部的宽度大于所述掩埋导电层的所述下部的宽度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述掩埋导电层包括突出部分和下部，所述下部在所述衬底上，所述突出部分突出到所述衬底中，以及

所述突出部分的宽度小于所述掩埋导电层的所述下部的宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中相对于所述衬底，所述掩埋导电层的下表面高于所述衬底的上表面。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述掩埋导电层和所述衬底之间的绝缘层。

13.一种半导体器件，包括：

至少两个有源区域，包括第一有源区域和第二有源区域，所述至少两个有源区域的每个在衬底上沿第一方向延伸；

至少两个栅电极，包括第一栅电极和第二栅电极，所述至少两个栅电极的每个沿交叉所述第一方向的第二方向延伸，使得所述至少两个栅电极在所述第二方向上彼此相邻；

栅隔离图案，在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间沿所述第一方向延伸；

掩埋导电层，在所述栅隔离图案下方沿所述第一方向延伸；

至少两个源/漏层，包括分别在所述第一有源区域和所述第二有源区域上的第一源/漏层和第二源/漏层；以及

至少两个接触插塞，包括分别在所述第一源/漏层和所述第二源/漏层上的第一接触插塞和第二接触插塞，所述第一接触插塞和所述第二接触插塞中的至少一个与所述栅隔离图案接触，同时在所述第二方向上具有横向不对称的形状。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述栅隔离图案沿着所述掩埋导电层在所述第一方向上延伸。