[发明专利]层叠半导体器件及其测试方法

权利要求书

1.一种层叠半导体器件，包括：

沿垂直方向层叠的多个半导体芯片，

其中，每个所述半导体芯片包括：

多个第一穿通电极；

与所述第一穿通电极相邻定位的多个第二穿通电极；

第一电压驱动电路，其用于基于第一驱动控制信号来对所述第一穿通电极充电或放电，而第二穿通电极浮置；

第二电压驱动电路，其用于基于第二驱动控制信号来对所述第二穿通电极充电或放电，而第一穿通电极浮置；以及

故障检测电路，其适用于基于经由所述第一穿通电极接收的多个第一检测信号和经由所述第二穿通电极接收的多个第二检测信号来产生故障信号。

2.如权利要求1所述的层叠半导体器件，

其中，所述第一穿通电极包括位于奇数行和奇数列处的穿通电极，以及位于偶数行和偶数列处的穿通电极，以及

其中，所述第二穿通电极包括位于所述奇数行和所述偶数列中的穿通电极，以及位于所述偶数行和所述奇数列中的穿通电极。

3.如权利要求1所述的层叠半导体器件，其中，每个所述半导体芯片还包括：

测试控制电路，其适用于：当表示对应的半导体芯片为上芯片的上ID信号被激活时，基于第一上拉控制信号和第一下拉控制信号来产生所述第一驱动控制信号，并基于第二上拉控制信号和第二下拉控制信号来产生所述第二驱动控制信号。

4.如权利要求3所述的层叠半导体器件，

其中，当在第一下拉控制信号的电平与第二下拉控制信号的电平相同的状态下所述第一上拉控制信号的电平与所述第二上拉控制信号的电平不同、或者在第一上拉控制信号的电平与第二上拉控制信号的电平相同的状态下所述第一下拉控制信号的电平与所述第二下拉控制信号的电平不同时，所述故障信号包括通知所述第一穿通电极与所述第二穿通电极之间的短路的信号。

5.如权利要求3所述的层叠半导体器件，其中，所述测试控制电路包括：

第一测试信号发生单元，其适用于基于所述第一上拉控制信号和所述第二上拉控制信号或者所述第一下拉控制信号和所述第二下拉控制信号来产生初步测试信号；

第二测试信号发生单元，其适用于基于所述初步测试信号和表示所述对应的半导体芯片为下芯片的下ID信号来产生下测试信号；

使能信号发生单元，其适用于：当所述上ID信号被激活时产生测试使能信号，所述测试使能信号根据所述初步测试信号的上升沿而被激活，并且根据所述初步测试信号的下降沿而被去激活；以及

控制信号发生单元，其适用于：当所述测试使能信号被激活时，基于所述第一上拉控制信号和所述第一下拉控制信号来产生所述第一驱动控制信号，以及基于所述第二上拉控制信号和所述第二下拉控制信号来产生所述第二驱动控制信号。

6.如权利要求5所述的层叠半导体器件，其中，所述使能信号发生单元包括：

设置信号发生器，其适用于：当所述上ID信号被激活时，在所述初步测试信号的激活部分的初始部分中产生设置信号；

复位信号发生器，其适用于在所述初步测试信号的去激活部分的初始部分中产生复位信号；以及

SR锁存器，其适用于产生所述测试使能信号，所述测试使能信号基于所述设置信号而被激活，并且基于所述复位信号而被去激活。

7.如权利要求5所述的层叠半导体器件，

其中，所述第一驱动控制信号包括第一上拉驱动信号和第一下拉驱动信号，以及

其中，所述第二驱动控制信号包括第二上拉驱动信号和第二下拉驱动信号。