[发明专利]电子设备及其制造方法

说明书

本发明提供一种电子设备及其制造方法。制造包括半导体存储器的电子设备的方法包括：形成沿第一方向延伸并具有闭环形状的第一导电结构；形成沿第二方向延伸并具有闭环形状的第二导电结构，第二方向与第一方向交叉；形成位于第一导电结构与第二导电结构的交叉处的存储单元；通过刻蚀第一导电结构的端部部分形成沿第一方向延伸的第一导电图案；通过刻蚀第二导电结构的端部部分形成沿第二方向延伸的第二导电图案；在第一导电图案和第二导电图案中的每一者的被刻蚀的表面上形成第一保护层；并在第一保护层上形成间隙填充层。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年9月21日提交的申请号为10-2018-0114206的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例总体涉及一种存储电路或器件，以及其在电子设备中的应用。

背景技术

近来，随着电子设备趋向于小型化、低功耗、高性能和多样化等，已经需要能够将信息储存在诸如计算机和便携式通信设备的各种电子设备中的半导体器件。因此，已经进行了研究以开发具有开关特性的半导体器件，即，能够通过根据施加的电压或电流在不同的电阻状态之间切换而储存数据的器件。具有开关特性的半导体器件的示例包括电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)和电熔丝等等。

发明内容

本公开的各种实施例提供了一种电子设备，其包括具有改善的操作特性和可靠性的存储单元，以及提供了一种用于制造该电子设备的方法。

根据一个实施例，一种制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成沿第一方向延伸并具有闭环形状的第一导电结构；形成沿第二方向延伸并具有闭环形状的第二导电结构，所述第二方向与所述第一方向交叉；形成位于第一导电结构与第二导电结构的交叉处的存储单元；通过刻蚀第一导电结构的端部部分形成沿第一方向延伸的第一导电图案；通过刻蚀第二导电结构的端部部分形成沿第二方向延伸的第二导电图案；在第一导电图案和第二导电图案中的每一者的被刻蚀的表面上形成第一保护层；以及在第一保护层上形成间隙填充层。

根据一个实施例，一种制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成沿第一方向延伸的第一层叠结构；在第一层叠结构之间形成第一间隙填充层；形成沿第二方向延伸的第二层叠结构，所述第二方向与所述第一方向交叉；在第二层叠结构之间形成第二间隙填充层；形成第一沟槽，所述第一沟槽穿过第一间隙填充层和第二间隙填充层并暴露出第一层叠结构的侧壁；在第一沟槽中形成第一保护层；以及在形成有第一保护层的第一沟槽中形成第三间隙填充层。

根据一个实施例，一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器可以包括：沿第一方向延伸的第一导电图案；沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二导电图案；在第一导电图案之间的第一间隙填充层；在第二导电图案之间的第二间隙填充层；第一沟槽，其穿过第二间隙填充层并且暴露出第一导电图案的沿第一方向彼此面对的侧壁；形成在第一沟槽中的第三间隙填充层；以及第一保护层，其形成在第一沟槽中并介于第一导电图案与第三间隙填充层之间。

附图说明

图1A和图1B是示出根据本公开的实施例的电子设备的结构的图；

图2A至图2C是示出根据本公开的实施例的电子设备的结构的图；

图3A至图8A、图3B至图8B、图3C至图8C以及图11是示出根据本公开的实施例的制造包括半导体存储器的电子设备的方法的图；

图9A至图9C以及图10A至图10C是示出根据本公开的实施例的制造包括半导体存储器的电子设备的方法的图；

图12和图13是示出根据本公开的实施例的存储系统的配置的框图；以及

图14和图15是示出根据本公开的实施例的计算系统的配置的框图。