[发明专利]发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种使用发光元件的制造装置的发光元件的制造方法，该发光元件的制造方法的特征在于：

所述制造装置包括：

主输送路径，其具有经第1交接室连接的第1移载机和第2移载机，且在第一方向上延伸，其中，所述第1交接室包括第1移载机构和第2移载机构；

第1副输送路径，其在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，且具有从所述第1移载机经第2交接室连接的第1输送室；

在所述第二方向上或者与所述第一方向或所述第二方向交叉的第三方向上，从所述第2移载机经第3交接室连接的第2输送室；

与所述第1输送室连接的第1处理室；

与所述第2输送室连接的第2处理室；和

设置在所述主输送路径上的基板投入取出口，

所述制造方法包括以下步骤：

准备被处理基板，该被处理基板在绝缘表面上具有像素电极和覆盖所述像素电极的端部且使所述像素电极的一部分露出的堤堰部，

将所述被处理基板送入设置在制造装置的主输送路径上的第1移载机，

将所述被处理基板从所述第1移载机经所述第2交接室送入第1输送室，

将所述被处理基板从所述第1输送室送入与所述第1输送室连接的第1处理室，

在所述像素电极和所述堤堰部上形成第1有机层，

将所述被处理基板从所述第1处理室送回所述第1输送室，

将所述被处理基板从所述第1输送室经所述第2交接室送回所述第1移载机，

将所述被处理基板从所述第1移载机送入设置在所述主输送路径上的第2移载机，

将所述被处理基板从所述第2移载机经所述第3交接室送入第2输送室，

将所述被处理基板从所述第2输送室送入与所述第2输送室连接的第2处理室，

在所述第1有机层上的与所述像素电极重叠的区域形成第2有机层，

将所述被处理基板从所述第2处理室送回所述第2输送室，

将所述被处理基板从所述第2输送室经所述第3交接室送回所述第2移载机，

所述被处理基板被置于通过所述主输送路径、所述第2交接室、所述第1输送室、所述第1处理室、所述第3交接室、所述第2输送室和所述第2处理室的连续的真空环境下，

处理前的所述被处理基板的投入和处理完的所述被处理基板的取出均经所述基板投入取出口进行。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述制造装置还具有与所述第1输送室连接的第3处理室，

在所述第2有机层的形成后，还包括以下步骤：

将所述被处理基板从所述第2移载机送入所述第1移载机，

将所述被处理基板从所述第1移载机经所述第1副输送路径送入所述第1输送室，

将所述被处理基板从所述第1输送室送入所述第3处理室，

在所述第1有机层和所述第2有机层上形成第3有机层，所述被处理基板在所述第3处理室被置于真空环境下。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述制造装置还具有：

在所述主输送路径上，经第4交接室与所述第1移载机或所述第2移载机连接的第3移载机；

在与所述主输送路径交叉的方向上从所述第3移载机经第5交接室连接的第3输送室；和

与所述第3输送室连接的第3处理室，

在所述第2有机层的形成后，还包括以下步骤：

将所述被处理基板从所述第2移载机送入所述第3移载机，

将所述被处理基板从所述第3移载机经所述第5交接室送入所述第3输送室，

将所述被处理基板从所述第3输送室送入所述第3处理室，

在所述第1有机层和所述第2有机层上形成第3有机层，所述被处理基板在所述第4交接室、所述第5交接室、所述第3输送室和所述第3处理室被置于真空环境下。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述第1有机层包含所述发光元件的空穴输运层或电子输运层。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述第2有机层包含所述发光元件的发光层。