[发明专利]一种高抗拉锂电铜箔的制造方法

权利要求书

1.一种高抗拉锂电铜箔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将金属铜单质加入含有硫酸的溶铜罐中，用螺杆风机鼓入高温空气，将铜溶解制备主电解液；主电解液经多级过滤后与添加剂溶液混合得到电解液；电解液经换热器换热到30-70 ^oC，打入电解槽；电解阴极为无缝滚筒式钛辊，电解槽阳极为尺寸稳定阳极；

（2）在30-70 ^oC温度及30-85 A/dm²的电流密度下进行电解制备原箔；

（3）制备的原箔采用常规的铬酐水溶液进行防氧化处理后即为未切割的成品锂电铜箔；

所述添加剂包含A剂、B剂、C剂、氯离子，A剂为有机二价硫化合物，B剂为含氮天然或合成高分子化合物，C剂为硫脲类化合物；所述电解液中的铜离子、硫酸、氯离子、A剂、B剂、C剂的浓度分别为50-100 g/L、80-140 g/L、30-100 mg/L、3-70 mg/L、5-80 mg/L、5-70 mg/L。

2.根据权利要求1所述的一种高抗拉锂电铜箔的制造方法，其特征在于，所述高抗拉锂电铜箔的厚度为6-9μm。

3.根据权利要求1所述的一种高抗拉锂电铜箔的制造方法，其特征在于，所述A剂选自以下至少一种：聚二硫二丙烷磺酸钠、硫醇基丙烷磺酸钠、3-巯基-1-丙烷磺酸钠、巯基苯并咪唑。

4.根据权利要求1所述的一种高抗拉锂电铜箔的制造方法，其特征在于，所述B剂选自以下至少一种：胶原蛋白、聚乙烯亚胺、聚醚氨。

5.根据权利要求1所述的一种高抗拉锂电铜箔的制造方法，其特征在于，所述C剂选自以下至少一种：硫脲、乙烯硫脲、二乙基硫脲、四甲基硫脲、氨基硫脲。