[发明专利]一种高选择性剥离液、其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种高选择性剥离液、其制备方法和应用。所述的剥离液，其原料包括下列质量分数的组分：0‑30.00％的水、5.00‑20.00％的直链酰胺类有机溶剂、10.00‑30.00％的砜类和/或亚砜类有机溶剂、21.00‑79.00％的醇醚类有机溶剂、5.00‑20.00％的烷酮类有机溶剂和0.01‑5.00％的表面活性剂，各组分质量分数之和为100％，所述的表面活性剂为含糖酰胺基的四硅氧烷双子表面活性剂。本发明的剥离液在具有好的剥离性能的情况下，对其他多种材料不构成破坏性腐蚀，具有高的应用价值。

技术领域

本发明涉及一种高选择性剥离液、其制备方法和应用。

背景技术

在半导体集成电路制造领域，及泛半导体制造(如光伏、LED、微机电芯片、功率芯片、存储芯片)等相关领域，光刻和刻蚀技术是这些制造领域的通用技术，虽然可能存在膜层性质和线宽差异，但工艺原理是相通的。随着半导体领域技术的进步，芯片线宽逐渐变小，芯片线路图形化越来越复杂，膜层层数也越来越多。诸如此类的变化，对半导体材料提出越来越高的要求。尤其是半导体制造工艺中的湿制程工艺中，需湿化学品材料满足各方面的要求，如高选择性腐蚀，高选择性的清洗、剥离等。目前在光刻胶剥离液材料中，市场亟需高选择性剥离液的研究和开发。本发明即是在这种强烈的市场需求下，诞生的一款高选择性剥离液，在清洗光刻胶残留及剥离光刻胶性能俱佳的情况下，对其他多种材料不构成破坏性腐蚀。尚没有发现同等功效产品的文献公开。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了针对现有技术中的剥离液存在剥离和清洗光刻胶及其残留物的同时，难以实现对多种金属和非金属材料同时具备防腐蚀效果的缺陷，而提供了一种高选择性剥离液、其制备方法和应用。本发明的剥离液在具有好的剥离和清洗性能的情况下，对其他多种材料不构成破坏性腐蚀。

本发明主要是通过以下技术手段解决上述技术问题的。

本发明提供了一种剥离液，其原料包括下列质量分数的组分：0-30.00％的水、5.00-20.00％的直链酰胺类有机溶剂、10.00-30.00％的砜类和/或亚砜类有机溶剂、21.00-79.00％的醇醚类有机溶剂、5.00-20.00％的烷酮类有机溶剂和0.01-5.00％的表面活性剂，各组分质量分数之和为100％，所述的表面活性剂为含糖酰胺基的四硅氧烷双子表面活性剂。

所述的刻蚀液的原料组分优选不含季胺类化合物。

其中，所述的水的质量分数可为3.00-23.00％，例如，7.00-15.00％。所述的直链酰胺类有机溶剂的质量分数可为8.00-15.00％，例如，10.00-12.00％。所述的砜类和/或亚砜类有机溶剂的质量分数可为15.00-25.00％，例如，17.00.00-23.00％。所述的醇醚类有机溶剂的质量分数可为28.00-64.00％，例如，51.00-60.00％。所述的烷酮类有机溶剂的质量分数可为8.00-15.00％，例如，10.00-12.00％。所述的含糖酰胺基的四硅氧烷双子表面活性剂的质量分数可为0.05-1.50％，例如，0.10-1.30％。