[发明专利]无机亚纳米线偏光薄膜及其应用

权利要求书

1.一种无机亚纳米线偏光薄膜，其特征在于，所述偏光薄膜是由0.8～1nm的无机亚纳米线有序排列形成的，不含高分子和基底，其中，所述无机亚纳米线包括选自氧化钒亚纳米线、羟基氧化钆亚纳米线和多酸亚纳米线中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的偏光薄膜，其特征在于，所述多酸亚纳米线为选自Bi₃Mo₁₂PO_x、Fe₃Mo₁₂PO_x、Zr₃Mo₁₂PO_x、Ce₃Mo₁₂PO_x、Ti₃Mo₁₂PO_x、Y₃Mo₁₂PO_x、Yb₃Mo₁₂PO_x和Mn₃Mo₁₂PO_x中的至少一种，其中，x的取值范围分别独立地为37～43。

3.根据权利要求1或2所述的偏光薄膜，其特征在于，所述偏光薄膜中分散有荧光量子点和/或荧光量子棒。

4.根据权利要求3所述的偏光薄膜，其特征在于，荧光量子点和/或荧光量子棒的含量为2～3wt％，

任选地，所述荧光量子点包括硒化镉量子点和/或硫硒化镉/硒化锌量子点，所述荧光量子棒为硒化镉量子棒，

任选地，所述硒化镉量子点的粒径为2.5～3.5nm；所述硫硒化镉/硒化锌量子点的粒径为9.5～10.5nm；所述硒化镉量子棒的直径为5.5～6.5nm，长度为45～55nm。

5.根据权利要求1或4所述的偏光薄膜，其特征在于，所述无机亚纳米线为具有表面配体的无机亚纳米线。

6.根据权利要求5所述的偏光薄膜，其特征在于，所述偏光薄膜是采用湿法纺丝法制备得到的，

任选地，所述偏光薄膜的厚度为30～150μm，

任选地，所述偏光薄膜的厚度为40～60μm。

7.根据权利要求6所述的偏光薄膜，其特征在于，所述无机亚纳米线为所述羟基氧化钆亚纳米线，采用所述羟基氧化钆亚纳米线配制得到的纺丝原液的相对粘度为800～1100，

任选地，所述羟基氧化钆亚纳米线形成的偏光薄膜的厚度为40～50μm。

8.根据权利要求6或7所述的偏光薄膜，其特征在于，所述湿法纺丝法包括：

(1)提供具有表面配体的无机亚纳米线，并将所述具有表面配体的无机亚纳米线分散于小分子有机溶剂中；

(2)将步骤(1)得到的无机亚纳米线分散液与四丁基溴化铵的四氢呋喃溶液混合，以便得到纺丝原液；

(3)利用注射器将所述纺丝原液喷入凝固浴中，以便得到凝胶膜；

(4)将所述凝胶膜浸入无水乙醇和正辛烷的混合溶液中进行固化和致密化，以便得到所述偏光薄膜，

任选地，步骤(1)中，利用油胺作为表面活性剂制备所述具有表面配体的无机亚纳米线，

任选地，步骤(1)中，所述小分子有机溶剂为选自辛烷、环己烷、正己烷、甲苯或氯仿中的至少一种，所述凝固浴为辛烷和无水乙醇的混合溶液，

任选地，步骤(2)中，所述纺丝原液的相对粘度为600～1300。

9.一种偏光器件，其特征在于，具有权利要求1-8中任一项所述的偏光薄膜。

10.根据权利要求9所述的偏光器件，其特征在于，所述偏光器件为量子点液晶显示器、量子点发光二极管显示器、偏光镜片或提供各向异性散射光的装置。