[发明专利]存储器控制器及其操作方法

说明书

本发明涉及一种用于存储装置的电路设计和操作技术，在一个实施方案中，该存储装置包括被配置成控制存储器装置的存储器控制器，该存储器装置包括多个存储块，每个存储块包括多个存储器单元。该存储器控制器可包括：存储器装置接口，被配置成执行与存储器装置的数据通信；以及软编程控制器，可通信地联接到存储器装置接口，并且被配置成对多个存储块之中的擦除目标存储块的擦除操作完成之前该擦除操作被暂停的迭代次数进行计数，并且在擦除操作完成之后，基于对擦除目标存储块的擦除操作被暂停的迭代次数，对该擦除目标存储块执行软编程操作。

相关申请的交叉引用

本专利文件要求于2018年10月25日提交的申请号为10-2018-0128448的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请通过引用整体并入本文。

技术领域

所公开技术的各个实施例总体涉及一种电子装置，且更特别地，涉及一种存储器控制器和操作存储器控制器的方法。

背景技术

存储装置是能够将数据存储在存储介质中的装置。由诸如个人计算机或智能电话的计算装置使用这种存储装置以存储和检索数据。存储装置可包括存储数据的存储介质和控制存储和检索数据的存储器控制器。可基于存储介质的类型对存储装置进行分类。例如，硬盘驱动器(HDD)使用磁盘作为存储介质，并且固态驱动器(SSD)或存储卡使用诸如易失性存储器装置和非易失性存储器装置的半导体存储器装置作为存储介质。

易失性存储器装置在通电时保存存储的数据，但当供电中断时丢失所存储的数据。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。

相反，即使在供电中断时，非易失性存储器装置也能够保存存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)以及闪速存储器。

发明内容

所公开技术的各个实施例涉及一种存储器控制器和一种操作存储器控制器的方法，以减小/最小化潜在的过擦除现象。

本公开的实施例可提供一种用于控制存储器装置的存储器控制器，其中存储器装置包括多个存储块，每个存储块具有多个存储器单元。存储器控制器可包括存储器装置接口和软编程控制器，其中存储器装置接口被配置成执行与存储器装置的数据通信，软编程控制器被配置成对多个存储块之中的擦除目标存储块的擦除操作完成之前该擦除操作被暂停的次数进行计数，并且在擦除操作完成之后，基于计数的结果对擦除目标存储块执行软编程操作。

本公开的实施例可提供一种操作存储器控制器的方法，该存储器控制器控制存储器装置，该存储器装置包括多个存储块，每个存储块具有多个存储器单元。该方法可包括：向存储器装置提供针对多个存储块之中的擦除目标存储块的擦除命令；当请求暂停对擦除目标存储块的擦除操作时，向存储器装置提供针对擦除目标存储块的暂停命令；在经过与暂停命令相对应的暂停时段之后，向存储器装置提供针对擦除目标存储块的擦除命令；当擦除操作完成时，对在擦除操作完成之前提供到存储器装置的暂停命令的数量进行计数，并且基于计数的结果提供软编程命令，该软编程命令指示对擦除目标存储块执行的软编程操作。

本公开的实施例可提供一种用于控制存储器装置的存储器控制器，其中存储器装置包括多个存储块，每个存储块具有多个存储器单元。存储器控制器可包括：软编程设置表，被配置成存储软编程设置信息，该软编程设置信息指示根据硬擦除验证电压的电平的软编程操作条件；暂停检测器，被配置成对多个存储块之中的擦除目标存储块的擦除操作完成之前该擦除操作被暂停的次数进行计数；验证电压确定器，被配置成基于计数的结果对擦除目标存储块执行硬擦除验证操作，并且决定作为擦除目标存储块未通过硬擦除验证操作时的硬擦除验证电压的失败验证电压的电平；以及软编程处理器，被配置成基于失败验证电压的电平和软编程设置信息对擦除目标存储块执行软编程操作。

附图说明

图1是示出基于所公开技术的实施例的存储装置的示例的示图。