[发明专利]晶片的切割方法及装置

权利要求书

1.一种晶片的切割方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供待切割处理的晶片，所述晶片包括衬底和层叠结合于所述衬底一表面PN层；

沿所述衬底层至所述PN层的方向，对所述衬底层表面进行激光切割处理切割深度为穿透所述衬底层但不达到所述PN层；

对所述晶片的PN层与所述衬底层相对的表面进行机械切割处理，并使得机械切割处理的切割道与所述激光切割处理的切割道对应，直至将所述晶片切割断。

2.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于：所述晶片的所述衬底材料包括硅、锗、砷化镓、磷化镓的任意一种。

3.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于：在所述机械切割处理过程中，是先将所述晶片进行固定处理。

4.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于：在所述激光切割处理过程中还包括在晶片表面负载保护液。

5.如权利要求4所述的切割方法，其特征在于：所述激光切割时的保护液的流量为1～2ml/s。

6.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于：所述激光切割处理过程中提供的激光的波长为355nm；和/或

所述激光的脉宽小于25ns；和/或

所述激光功率小于15W。

7.一种晶片切割装置，其特征在于，所述晶片切割装置包括：

晶片固定装置，用于固定所述晶片；

机械切割装置，用于对PN层进行切割；

激光切割装置，用于对衬底层进行切割。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于：所述晶片切割装置还包括上料取料装置，所述上料取料装置用于将未加工的晶片放上加工台和将加工好的晶片取走。

9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述激光切割装置包括：激光发生器、相位校对装置、保护液负载装置、控制器；

所述激光发生器用于生成激光；所述相位校对装置用于校对激光位置，对材料进行加工；所述保护液负载装置用于对加工前的晶片表面进行保护液负载处理；所述控制器用于对各自动化部件进行统一控制调度。

10.如权利要求7所述的装置，其特征在于：所述机械切割装置为金刚石砂轮刀。