[发明专利]一种耐高温双用途晶控仪

说明书

本发明公开了一种耐高温双用途晶控仪，包括于真空室内与衬底支架相连的石英片载台、置于真空室内与石英片载台连接的射频接线座和置于真空室外的晶控主机，所述石英片载台包括相对的上载台和下载台，分别用于放置一片石英晶片，所述上载台石英晶片其中一面以适当面积正对镀膜方向裸露，所述下载台石英晶片置于镀膜方向的反方向，且只通过少量通气孔暴露于外面，使其在镀膜时不会被沉积上薄膜，所述上载台和所述下载台之间良好导热。本装置可在高温镀膜环境下应用，无需水冷装置，一方面消除了镀膜阴影，降低了漏气漏水概率，另一方面也便于晶片载台和射频接线座的设计和制作，且结构小巧，制作成本低，同时该晶控仪可以在镀膜时实时测量膜厚和温度。

技术领域

本发明涉及一种耐高温双用途晶控仪，属于真空镀膜技术领域。

背景技术

目前真空镀膜领域晶控仪被大量应用于膜厚测量，常规的晶控仪的上载台较大，且需要埋置冷却水管，从而使存在安装不便，易在衬底形成镀膜阴影、安装不到位容易漏气露水、制作成本高等缺点。另外尽管存在水冷，在高温镀膜环境下，晶控仪的膜厚测量准确度也将受到较大影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种可用于高温下测量、可同时测量膜厚和温度、结构小巧、使用方便的耐高温双用途晶控仪。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种耐高温双用途晶控仪，包括于真空室内与衬底支架相连的石英片载台、置于真空室内与石英片载台连接的射频接线座和置于真空室外的晶控主机，所述石英片载台包括相对的上载台和下载台，分别用于放置一片石英晶片，所述上载台石英晶片其中一面以适当面积正对镀膜方向裸露，所述下载台石英晶片置于镀膜方向的反方向，且只通过少量通气孔暴露于外面，使其在镀膜时不会被沉积上薄膜，所述上载台和所述下载台之间良好导热。

进一步的，所述石英片载台包括上压环、下压盖、中间环体、弹片A、弹片B、固定螺钉A、固定螺钉B、电极A、电极B、绝缘环A、绝缘环B以及绝缘工形支架；

所述上压环与所述下压环分别与所述中间环体螺纹连接构成所述石英片载台主体，所述绝缘工形支架位于所述主体中部，将其上下分隔为所述上载台和所述下载台，所述中间环体接地；

所述上压环与所述弹片A之间用于放置所述上载台石英晶片，所述上载台石英晶片通过所述上压环上开孔裸露并迎接镀膜材料沉积方向，所述上压环作为所述上载台石英晶片其中一电极，所述电极A作为其另一电极，通过所述绝缘环A安装在所述中间环体上，插入所述绝缘工形支架内，且通过所述固定螺钉A与所述弹片A电连接，以上构成所述上载台；

所述下压盖与所述弹片B之间用于放置所述下载台石英晶片，所述下压盖上开有少量微孔，使所述下载台石英晶片在镀膜时不会被沉积上薄膜，所述下压盖作为所述下载台石英晶片其中一电极，所述电极B作为其另一电极，通过所述绝缘环B安装在所述中间环体上，插入所述绝缘工形支架内，且通过所述固定螺钉B与所述弹片B电连接，以上构成所述下载台；

进一步的，所述石英片载台上导电结构采用导热性好的金属材料，如金属铜、银等材料。

进一步的，所述石英片载台上绝缘结构采用耐高温材料，如聚酰亚胺、云母、石英、玻璃纤维等耐高温绝缘材料。

进一步的，所述射频接线座上设置有2个射频接线头。

进一步的，所述晶控主机设置有2路或2路以上的输入接头，所述输入探头通过程序控制实现分时接入，从而实现多路共同测量。

本发明所达到的有益效果：本装置可以在高温镀膜环境下应用，无需水冷装置，一方面消除了镀膜阴影，降低了漏气漏水概率，另一方面也便于晶片载台和射频接线座的设计和制作，且结构小巧，制作成本低，同时该晶控仪可以在镀膜时实时测量膜厚和温度。

附图说明