[发明专利]一种高Tc有效

专利信息
申请号: 201910597249.8 申请日: 2019-07-04
公开(公告)号: CN110330327B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 廖继红;钟志成;屈少华;瞿山;夏清华 申请(专利权)人: 湖北文理学院
主分类号: C04B35/38 分类号: C04B35/38;C04B35/40;C04B35/622;C04B35/626;H01F1/36;H01F41/00;H01F41/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 441053 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 base sub
【权利要求书】:

1.一种高Tc高频超低损耗软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法分如下步骤:

(1)一次配料:以主成分Fe2O3、Mn3O4 和ZnO总重量200kg为基准,所述Fe2O3、Mn3O4、ZnO主成分和第一次添加剂均采用市售的化学纯原料,包括如下用量的各组分:

Fe2O3 :140份-146份、Mn3O4 :39份-48份、ZnO :8份-15份;CaCO3 150g-200g、CoO 320g-480g、Cr2O3 300g-400g ;

(2)一次砂磨:将配好的主成分和第一次添加剂按照重量比为料:球:水=1: 5~6: 0.5~0.7投入砂磨机进行一次砂磨,砂磨的时间为2 ~ 4h,一次砂磨后浆料的平均粒径控制在0.8~1.2µm;

(3)预烧:将步骤(2)一次砂磨后的浆料通过高压喷雾干燥造粒后,在回转窑中进行预烧,预烧温度为850~950℃,预烧时间为0.5~2h,控制预烧后粉料的磁化度在8~15µH/g;

(4)二次配料:向步骤(3)中预烧后的物料中加入第二次添加剂,经过二次砂磨、喷雾干燥造粒后,形成粉料平均粒径控制在0.7µm ~ 1.0µm ;第二次添加剂成分除SiO2 为粒径的50nm~100nm外,其余均为市售的化学纯原料,包括如下各组分:

Y2O3 10-40g、 Nd2O3 4-10g、 SiO2 20g-50g、 V2O5 20-80g;

(5)成型: 将造粒后得到的粉料,进行成型,制得样品坯件;

(6)烧结: 将步骤(5)制得的坯件放进烧结炉, 先从室温到450℃,升温速率为以0.5℃~2.0℃/min,并通入空气增强排胶;再从450℃到900℃,升温速率为1.0℃~2.0℃/min,空气自然排胶;再从900℃到1100℃,升温速率为1.5℃~3.0℃/min,改通入氮气控制氧分压在3%~5%,最后使最终的烧结温度为1250~1290℃;保温时间为4~8 h,保温段氧分压控制在3%~5%,再在平衡氧分压条件下降温:先从最高烧结温度降到1100℃,降温速率为2.5℃~5℃/min氧分压控制在5%~0.2%;然后再1100℃至室温,降温速率为1.5℃/min~4℃/min,氧分压控制在2%~0.2%,即得到高Tc高频超低损耗软磁铁氧体材料。

2.根据权利要求1所述的一种高Tc高频超低损耗软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(6)坯件烧结工艺参数为:先从室温到450℃,升温速率为以0.5℃~2.0℃/min,并通入空气增强排胶;再从450℃到900℃,升温速率为1.0℃~2.0℃/min,空气自然排胶;再从900℃到1100℃,升温速率为1.5℃~3.0℃/min,改通入氮气控制氧分压在3%~5%,最后使最终的烧结温度为1250~1290℃;保温时间为5 h,保温段氧分压控制在3%~5%,再在平衡氧分压条件下降温:先从最高烧结温度降到1100℃,降温速率为2.5~5℃/min氧分压控制在5%~0.2%;然后再1100℃至室温,降温速率为1.5 ~ 4℃/min,氧分压控制在2%~0.2%,即得到高Tc高频超低损耗软磁铁氧体材料。

3.由权利要求1-2任一所述的制备方法得到的高Tc高频超低损耗软磁铁氧体材料。

4.根据权利要求3所述的一种高Tc高频超低损耗软磁铁氧体材料,其特征在于,该材料所制作的磁芯产品,居里温度Tc高达310℃,在100℃、1MHz、30mT条件下,功率损耗低于100kW/m3,应用于持续工作时间长的逆变焊机、通讯电源、航空航天大功率电源的大功率开关电源中。

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