[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910596302.2 | 申请日: | 2019-07-03 |
公开(公告)号: | CN110299369B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 占建英;张慧文;张亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
通过二次交联固化形成嵌设有强化层的柔性基底;所述柔性基底的材料包括聚酰亚胺,所述强化层的材料包括与所述聚酰亚胺完全全部交联且融为一体的氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜或改性氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜;所述通过二次交联固化形成嵌设有强化层的柔性基底,包括:在玻璃载板上形成未完全交联的柔性薄膜;在所述未完全交联的柔性薄膜上开设凹槽;在所述凹槽内形成未完全交联的强化薄膜;通过二次固化处理,使所述未完全交联的柔性薄膜和未完全交联的强化薄膜完全交联,同时二次固化过程使柔性薄膜与强化薄膜的接触边界处发生交联反应,使凹槽中的强化薄膜与柔性薄膜融为一体,形成嵌设有强化层的柔性基底;
其中,通过控制聚酰亚胺热的固化温度来控制聚酰亚胺薄膜的交联程度,所述未完全交联的柔性薄膜包括交联程度为50%-80%的聚酰亚胺薄膜,所述未完全交联的强化薄膜包括交联程度为50%-80%的氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜或交联程度为50%-80%的改性氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜;
在所述柔性基底上形成薄膜晶体管,使所述强化层的位置与薄膜晶体管沟道区的位置相对应,以提高薄膜晶体管沟道区的抗形变能力。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
所述凹槽的深度为所述未完全交联的柔性薄膜厚度的30%~50%;
所述未完全交联的强化薄膜的表面与所述未完全交联的柔性薄膜的表面平齐。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜中,所述氧化石墨烯的质量分数为3%~7%;所述改性氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜中,所述改性氧化石墨烯的质量分数为0.5%~1.5%。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述固化处理包括:在200℃~350℃高温烘箱中恒温处理1.5小时~2.5小时。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
在所述未完全交联的柔性薄膜上开设凹槽,包括:在所述未完全交联的柔性薄膜上涂覆一层负性光刻胶,通过曝光、显影形成负性光刻胶图案,采用干刻方式刻蚀未被负性光刻胶图案覆盖的所述未完全交联的柔性薄膜,在所述未完全交联的柔性薄膜上形成凹槽,所述凹槽的深度为所述未完全交联的柔性薄膜厚度的30%~50%;
在所述凹槽内形成未完全交联的强化薄膜,包括:涂覆氧化石墨烯/聚酰胺酸溶液或改性氧化石墨烯/聚酰胺酸溶液,形成未完全交联的氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜或未完全交联的改性氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜,所述未完全交联的氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜或未完全交联的改性氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜完全填充所述凹槽;采用化学机械平坦化工艺进行研磨,只保留所述凹槽中的未完全交联的氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜或未完全交联的改性氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜,在所述凹槽内形成未完全交联的氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜或未完全交联的改性氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜,所述未完全交联的氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜或未完全交联的改性氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的表面与所述未完全交联的柔性薄膜的表面平齐。
6.根据权利要求1~5任一所述的制备方法,其特征在于,所述强化层在所述柔性基底上的正投影包含所述薄膜晶体管的有源层在所述柔性基底上的正投影。
7.根据权利要求1~5任一所述的制备方法,其特征在于,在所述柔性基底上形成薄膜晶体管,包括:在所述柔性基底上形成低温多晶硅薄膜晶体管。
8.一种采用如权利要求1~7任一所述制备方法制备的显示基板,其特征在于,包括柔性基底以及设置在所述柔性基底上的薄膜晶体管,所述柔性基底上嵌设有强化层,所述强化层的位置与薄膜晶体管沟道区的位置相对应,用于提高薄膜晶体管沟道区的抗形变能力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的