[发明专利]一种原位模拟低矿化度水驱过程的方法

权利要求书

1.一种原位模拟低矿化度水驱过程的方法，其特征在于，准备模拟油相、模拟岩石相和模拟水相，构建油/水/岩石三相系统模型；利用耗散型石英晶体微天平实时监测记录所述模拟油相在所述模拟岩石相的表面的吸附过程和所述模拟油相自所述模拟岩石相的表面脱附过程的对应参数信息；

所述模拟油相选自模型化合物C5Pe或Bisa或TP或PAP，所述C5Pe的结构如下：

所述Bisa的结构如下：

所述TP的结构如下：

所述PAP的结构如下：

2.根据权利要求1所述的原位模拟低矿化度水驱过程的方法，其特征在于，所述模拟水相为离子水溶液。

3.根据权利要求1所述的原位模拟低矿化度水驱过程的方法，其特征在于，所述模拟岩石相包括作为基底的QCM-D SiO₂芯片或表面镀有金属层的芯片。

4.根据权利要求3所述的原位模拟低矿化度水驱过程的方法，其特征在于，将所述的QCM-D SiO₂芯片或表面镀有金属层的芯片经功能分子改性修饰得到表面润湿性不同的模拟岩石相，实时监测记录所述模拟油相在不同模拟岩石相上的吸附过程或脱附过程的对应参数信息。

5.根据权利要求4所述的原位模拟低矿化度水驱过程的方法，其特征在于，所述功能分子与QCM-D SiO₂芯片表面的Si-OH键通过硅烷化反应形成单分子吸附层，得到疏水基底。

6.根据权利要求1所述的原位模拟低矿化度水驱过程的方法，其特征在于，包括下列步骤：

S1，准备模拟水相、模拟油相；

S2，改性修饰模拟岩石相的基底，分别得到表面润湿性不同的基底；

S3，利用耗散型石英晶体微天平分别检测记录所述模拟油相在表面润湿性不同的基底表面的吸附过程和脱附过程中的震动频率随时间变化的曲线。

7.根据权利要求6所述的原位模拟低矿化度水驱过程的方法，其特征在于，所述步骤S1中制备离子浓度不同浓度的模拟水相，所述步骤S3分别检测记录所述模拟油相在所述的不同模拟水相作用下在表面润湿性不同的基底表面的吸附过程和脱附过程中的震动频率随时间变化的曲线。

8.根据权利要求6所述的原位模拟低矿化度水驱过程的方法，其特征在于，所述步骤S2中，模拟岩石相包括作为基底的QCM-D SiO₂芯片，用乙醇和水清洗后，进行plasma处理，得到表面富有-OH的亲水基底；

将亲水基底浸泡于十八烷基三氯硅烷氯仿溶液中，取出后用氯仿超声清洗，干燥得到表面带有-CH₃的疏水基底。

9.根据权利要求6所述的原位模拟低矿化度水驱过程的方法，其特征在于，模拟原油在基底表面的吸附过程包括：以一定速度通入乙醇作为背景溶液、通入一定浓度的原油模型化合物溶液进行吸附，通入乙醇冲掉基底表面吸附不牢固的分子；

模拟低矿化度水驱的过程包括：分批通入的模拟水相溶液，观察震动频率随时间的变化。