[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的有源鳍，所述有源鳍沿第一方向延伸，所述有源鳍包括凹陷区域；

在所述衬底上的栅电极，所述栅电极与所述有源鳍交叉，使得所述有源鳍的所述凹陷区域位于所述栅电极的至少一侧，所述栅电极沿第二方向延伸，所述栅电极包括侧壁；

在所述栅电极的所述侧壁上的栅极间隔层；以及

在所述有源鳍的所述凹陷区域中的源极/漏极区域，

所述源极/漏极区域包括与所述有源鳍接触的基层和在所述基层上的第一层，

所述基层包括在所述第一方向上彼此相对的内端和外端，

所述基层位于所述凹陷区域的内侧壁上，

所述第一层包括浓度高于所述基层中的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)，

所述基层的外端与所述第一层接触，并且

所述基层的外端具有在平面上朝向所述栅电极的外部向外凸出的形状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基层的内端的至少部分位于所述栅电极下方。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一层具有在所述凹陷区域的内侧壁上在所述第一方向上彼此相对的内端和外端，并且

所述第一层的外端具有在平面上从所述栅电极向外凸出的区域。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一层的内端的至少一部分位于所述栅极间隔层下方。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基层和所述第一层的至少一部分位于所述凹陷区域的内侧壁上的所述栅极间隔层下方。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基层由硅(Si)形成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基层的外端不由所述有源鳍的晶面限定。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一层是硅锗(SiGe)层，所述硅锗(SiGe)层包括在20at.％到40at.％的范围内的锗(Ge)。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述源极/漏极区域还包括在所述第一层上的第二层，

所述第二层填充所述凹陷区域，并且

所述第二层包括浓度高于所述第一层中的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基层的内端包括垂直于所述衬底的上表面延伸的区域。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基层包括浓度高于所述有源鳍中的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基层包括浓度高于所述有源鳍中的锗(Ge)的浓度的硼(B)或镓(Ga)。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基层具有在3nm至5nm的范围内的厚度。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述栅电极包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，

所述源极/漏极区域位于所述栅电极的第一侧和第二侧二者处，

沿着所述有源鳍在所述第二方向上的中心从位于一侧的所述基层的外端到位于另一侧的所述基层的外端的长度大于沿着所述有源鳍在所述第二方向上的边缘从位于一侧的所述基层的外端到位于另一侧的所述基层的外端的长度。