[发明专利]体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基板，包括基板保护层；

第一层，设置在所述基板保护层上；

第二层，设置在所述第一层的外部；

膜层，与所述基板保护层和所述第一层形成腔；以及

谐振部，设置在所述膜层上，

其中，所述基板保护层和所述膜层中的任意一者或两者包括设置在所述腔中的突出部。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述突出部包括形成在所述基板保护层上的第一突出部以及与所述第一突出部相对地形成在所述膜层上的第二突出部。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述突出部包括各自设置为彼此间隔开的多个突出部。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一层利用包括氧化物或多晶硅的材料形成。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一层和所述第二层中的任意一者或两者利用选自包括氧化物或多晶硅的材料中的任意一种形成。

6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一层利用将由选自包含氟化氢的蚀刻溶液或蚀刻气体以及包含二氟化氙的蚀刻溶液或蚀刻气体中的任意一种蚀刻的材料形成。

7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一层和所述第二层利用将选择性地由选自包含氟化氢的蚀刻溶液或蚀刻气体以及包含二氟化氙的蚀刻溶液或蚀刻气体中的任意一种蚀刻的材料形成。

8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述基板保护层和所述膜层利用包含氮化硅、氧化锰、氧化锆、氮化铝、锆钛酸铅、砷化镓、氧化铪、氧化铝、氧化钛和氧化锌中的任意一种的介电层或包含铝、镍、铬、铂、镓和铪中的任意一种的金属层形成。

9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一层包括设置在所述腔的内部的突出部以及设置为包围所述腔的蚀刻防止部。

10.根据权利要求9所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括形成在所述腔中的涂层。

11.一种制造体声波谐振器的方法，包括：

在基板上形成第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层利用将分别由不同的蚀刻溶液或蚀刻气体蚀刻的材料形成；

在所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的上方形成膜层和谐振部；

蚀刻所述第一牺牲层和所述第二牺牲层中的任意一者的部分以在腔中形成柱部；以及

蚀刻所述柱部。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述在基板上形成第一牺牲层和第二牺牲层包括：

在所述基板上形成具有所述柱部的所述第二牺牲层；以及

形成所述第一牺牲层以包围所述柱部。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一牺牲层的部分设置在所述第二牺牲层的插入凹槽中。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述在基板上形成第一牺牲层和第二牺牲层包括：

形成包括具有倾斜轮廓的第一凹槽和设置在所述第一凹槽的中间部分中的第二凹槽的所述第一牺牲层；以及

在所述第一凹槽和所述第二凹槽中形成所述第二牺牲层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述柱部通过蚀刻所述第二牺牲层的部分形成。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述在基板上形成第一牺牲层和第二牺牲层包括：

形成所述第一牺牲层的突出部；

形成所述第二牺牲层以覆盖所述突出部；

形成其中设置所述突出部的柱部以及所述第二牺牲层中的插入凹槽；以及

在所述柱部周围并且在所述插入凹槽中形成所述第一牺牲层。