[发明专利]一种基于钙钛矿纳米线的光探测结构

权利要求书

1.一种基于钙钛矿纳米线的光探测结构，其特征在于：包括：电极、钙钛矿纳米线、二氧化硅层、硅衬底层，二氧化硅层置于硅衬底层上，钙钛矿纳米线置于二氧化硅层上；钙钛矿纳米线的宽度为0.5微米到2微米之间；所述钙钛矿纳米线两端分别连接有一电极，所述钙钛矿纳米线中间具有一缝隙；

其中，所述硅衬底层与所述二氧化硅层之间还设有一金属层，且金属层和钙钛矿纳米线之间均会形成局域电磁场，局域电磁场分布在缝隙内。

2.根据权利要求1所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构，其特征在于：所述缝隙为沿所述钙钛矿纳米线长度方向的条形。

3.根据权利要求2所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构，其特征在于：所述条形具有锯齿形边界。

4.根据权利要求1所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构，其特征在于：所述缝隙由沿纳米线长度方向排列的孔洞构成。

5.根据权利要求1所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构，其特征在于：所述缝隙由离子束刻蚀方法制备的。

6.根据权利要求1所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构，其特征在于：所述金属层由不少于两个的条形结构平行排列构成。

7.根据权利要求6所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构，其特征在于：所述条形结构排列方向垂直于所述钙钛矿纳米线。