[发明专利]一种基于直写式光刻机拼板模式下内层防呆的方法

说明书

一种基于直写式光刻机拼板模式下内层防呆的方法，可解决直写式光刻机拼板模式采用多片板子拼板曝光时，现有的翻版方式对位精度较低的技术问题。包括以下步骤：S100、设置两种形状不同的标识Mark，对位Mark‑A和序列号Mark‑B；S200、根据台面所能容纳光刻机拼板的最大数量N，确定Mark‑B的数量M；S300、设置Mark‑B的编码，将M个Mark B排列成不对称的形状；S400、使用CCD对Mark‑A和Mark‑B进行图像采集；S500、对于CCD采集到的一组Mark‑B，计算得到光刻机拼板对应的编号I并判断是左右翻板还是上下翻板；S600、对于CCD采集到的Mark‑A，确定镜像和形变；S700、根据识别到的对相应编号的光刻拼板图形进行矫正处理。本发明可以准确的对拼板图形进行变换和补偿，具备了防呆功能，同时提升了对位精度。

技术领域

本发明涉及直写式光刻机技术领域，具体涉及一种基于直写式光刻机拼板模式下内层防呆的方法。

背景技术

直写式光刻技术是在感光材料(多为胶或者膜)的表面印刷具有特征的构图的技术，本发明所涉及的无掩膜光刻技术使用数字微镜系统生成构图，通过光学投影元件，图像以一定得倍率投影到光敏感的衬底上，产生特征的构图。

无掩模光刻能有效地降低光刻系统的复杂度(无需掩模台、掩模传输、框架结构简单)和掩模的加工、维护成本，是进行大尺寸基底光刻的发展趋势之一，而基于空间光调制器(Spatial Light Modulator，以下简称SLM)的无掩模光刻方法因其制作灵活、可靠性高和产率较客观等优势越来越多地被用来制作印刷电路板(PCB)、薄膜液晶面板(TFT)、微机电系统(MEMS)。

目前，多数印制电路板(Printed CircuitBoard，简称PCB板)激光直接成像系统都采用精密平台的运动与DMD曝光图形输出的匹配输出图像，可以达到的曝光基板的尺寸通常都在24寸宽乘以21寸高，甚至更大。当基板尺寸较小时(比如250mm*300mm时，甚至更小90mm*40mm)，往往采用拼板曝光的模式进行，从而提升产能。

但采用多片板子拼板曝光时，曝光完了正面A，在曝光反面B时，往往存在翻版方式的问题，比如上下翻版和左右翻版会导致对位精度超标问题；另外，操作员在一个台面完成了正面A曝光，因为工艺等需要，需要挪到另一个台面(或区域位置)继续反面曝光，那么在挪动的过程中，往往无法确定对应的位置，或者容易出错，而导致拼板分区的编号发生了混乱，从而无法确定各板子的形变参数，降低了对位精度。

发明内容

本发明提出的一种基于直写式光刻机拼板模式下内层防呆的方法，可解决直写式光刻机拼板模式采用多片板子拼板曝光时，现有的翻版方式对位精度较低的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：

一种基于直写式光刻机拼板模式下内层防呆的方法，包括：在承载光刻机拼板的精密运动平台的台面上，设置卡槽；

包括以下步骤：

S100、设置两种形状不同的标识Mark，Mark-A和Mark-B；其中Mark-A为对位Mark，Mark-A设置在光刻机拼板板面的相邻两边，Mark-B为板卡序列号Mark，Mark-B设置在光刻机拼板板面的一边，所述Mark-A和Mark-B均设置在光刻机精密运动平台的台面卡槽里；

S200、根据台面所能容纳光刻机拼板的最大数量N，确定Mark-B的数量M；

S300、设置Mark-B的编码，将M个Mark B排列成不对称的形状；

S400、使用CCD对Mark-A和Mark-B进行图像采集；

S500、对于CCD采集到的一组Mark-B，一方面根据所设定的这一组Mark-B点的对应的编码规则，计算得到光刻机拼板对应的编号I，其中0≤I≤N；另一方面根据设定的不对称形状，判断是左右翻板还是上下翻板；