[发明专利]校准装置及校准方法在审
| 申请号: | 201910589514.8 | 申请日: | 2019-07-02 |
| 公开(公告)号: | CN110729972A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
| 发明(设计)人: | 张佑先;赖钰铭;郑景嘉;洪伟凯;陈奕竹;陈宗明;颜仕杰 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F1/02;H03F3/24;H04B17/13 |
| 代理公司: | 11111 北京市万慧达律师事务所 | 代理人: | 陈良;沈美丽 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 自适应 偏置发生器电路 输入晶体管 控制端子 校准装置 包络 功率放大器 工艺变化 偏置电压 输出功率 校准 发送器 响应 跟踪 | ||
1.一种校准装置,用于校准发送器中功率放大器的特征,所述校准装置包括:
自适应偏置发生器电路,被设置为跟踪由所述功率放大器的输入晶体管的控制端子所接收的输入信号的包络,并且响应于所述输入信号的包络产生自适应偏置电压至所述输入晶体管的所述控制端子。
2.根据权利要求1所述的校准装置,其中,所述自适应偏置电压与所述输入信号的包络正相关或者负相关。
3.根据权利要求1所述的校准装置,还包括:
偏置控制器电路,被设置为配置所述自适应偏置发生器电路,以设置所述自适应偏置电压和所述输入信号的包络之间的映射关系。
4.根据权利要求3所述的校准装置,还包括:
下变频器电路,被设置为根据所述功率放大器的输出信号产生反馈基带信号;以及
处理电路,被设置为根据所述反馈基带信号产生质量指标信号,并且将所述质量指标信号输出到所述偏置控制器电路,
其中所述偏置控制器电路根据所述质量指标信号配置所述自适应偏置发生器电路。
5.根据权利要求4所述的校准装置,其中,所述处理电路根据所述反馈基带信号估计所述功率放大器的所述输出信号的幅度和/相位失真来产生所述质量指标信号。
6.根据权利要求3所述的校准装置,其中,所述偏置控制器电路进一步被设置为校准所述功率放大器的输出晶体管的控制端子的固定偏置电压。
7.根据权利要求6所述的校准装置,还包括:
直流DC检测器电路,被设置为监测与所述功率放大器的输出信号相关联的DC电平,产生表示所述DC电平的反馈DC信号,并将所述反馈DC信号输出至所述偏置控制器电路,
其中,所述偏置控制器电路根据所述反馈DC信号校准所述固定偏置电压。
8.根据权利要求7所述的校准装置,其中,所述偏置控制器电路监测所述反馈DC信号,以确定所述功率放大器的饱和功率是否最佳。
9.根据权利要求6所述的校准装置,还包括:
下变频器电路,被设置为根据所述功率放大器的输出信号产生反馈基带信号;以及
处理电路,被设置为根据所述反馈基带信号产生质量指标信号,并且将所述质量指标信号输出至所述偏置控制器电路;
其中,所述偏置控制器电路根据所述质量指标信号校准所述固定偏置电压。
10.根据权利要求1所述的校准装置,还包括:
直流DC检测器电路,被设置为监测与所述功率放大器的输出信号相关联的DC电平,并且产生表示所述DC电平的反馈DC信号;以及
处理电路,被设置为将所述反馈DC信号与预定阈值进行比较以产生比较结果,并根据所述比较结果选择性地暂停所述发送器的数字预失真电路。
11.根据权利要求1所述的校准装置,还包括:
下变频器电路,被设置为根据所述功率放大器的输出信号产生反馈基带信号;以及
处理电路,被设置为将所述反馈基带信号与预定阈值进行比较以产生比较结果,并根据所述比较结果选择性地暂停所述发送器的数字预失真电路。
12.一种校准方法,用于校准发送器中功率放大器的特征,所述校准方法包括:
跟踪所述功率放大器的输入晶体管的控制端子所接收的输入信号的包络;以及
响应于所述输入信号的包络,产生自适应偏置电压至所述输入晶体管的所述控制端子。
13.根据权利要求12所述的校准方法,其中,所述自适应偏置电压与所述输入信号的包络正相关或负相关。
14.根据权利要求12所述的校准方法,还包括:
设置所述自适应偏置电压和所述输入信号的包络之间的映射关系。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910589514.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





